美司法部起訴聯電竊取美光 DRAM 技術 - 3C

針對美國司法部在 1 日正式起訴中國福建晉華積體電路公司（福建晉華）與台灣的聯華
電子公司（聯電）2 家公司及其 3 名台灣籍個人，涉嫌共謀竊取美國記憶體製造商美光
（Micron）的商業機密一事，聯電一早也發出聲明指出，對該件事情除表示遺憾之外，也
對於違反法律的指控嚴正以對，並擬竭力回應。


美國司法部長 Jefferson Beauregard 在 1 日宣布，控告中國記憶體製造商福建晉華和
台灣晶圓代工大廠聯電與 3 名台灣籍個人，共謀竊取美國美光科技公司商業機密。針對
其在加州聖荷西聯邦地方法院公布的起訴書，內容指出，中國福建晉華和台灣聯電，以及
聯電的台灣籍 3 位高級主管，共謀竊取美商美光商業機密， 以協助聯電和福建晉華研發
許多電腦處理器使用的動態隨機存取記憶體（DRAM）晶片，其價值估計高達 87.5 億美元
。


根據《路透社》的報導也指出，起訴書中進一步表示，台灣美光 3 名前員工，在離開台
灣美光之後，於 2015 年到 2016 年之間加入台灣聯電工作，期間將有計畫竊取的美光 D
RAM 記憶體的設計和生產流程交付聯電，而聯電再透過技術轉移的方式，提供給合作的中
國福建晉華來生產相關產品。起訴書中還強調，中國一直以來都對 DRAM 生產技術感到非
常有興趣。不過，中國並沒有相關的生產技術，而美光則是唯一一家有生產 DRAM 技術的
美國公司。

報導中指出，美國司法部長 Jefferson Beauregard 表示，中國的經濟間諜活動正在快速
增加，而且已經對美國的國家安全造成威脅。因此，美國政府正在發起一項新舉措，打擊
中國的間諜貿易案件。另外，對於台灣公司聯電與福建晉華合作，進而使得中國能夠由美
國竊取 DRAM 技術，最終來和美國競爭，這是無恥的計畫。

對於美國司法部所提出的控訴，聯電隨即在 2 日早上以重大訊息的方式發出聲明表示，
對該件事情除表示遺憾之外，也對於違反法律的指控嚴正以對，並擬竭力回應。

聯電的回應全文如下：
本公司對於美西時間 2018 年 11 月 1 日解封之美國加州北區聯邦檢察官辦公室起訴書
，聲明如下。

該起訴書指稱，聯華電子與其若干員工於 2015 年共謀竊取美光公司的營業祕密，並利用
此一資訊為與聯華電子簽訂有技術合作協議的中國公司福建晉華公司進行技術研發並移轉
。美國政府的起訴內容實際上與先前美光公司對聯華電子提起民事訴訟所主張的內容是相
同的。聯華電子對於美國檢察官辦公室在起訴前沒有事先通知聯華電子，並給予討論事件
始末的機會，表示遺憾。

聯華電子是台灣半導體產業的領導公司之一，持續研發積體電路及其他技術近 40 年。聯
華電子不僅投注無數資源進行相關技術的研究發展，並且在世界各地擁有數以千計有效的
技術專利布局。對於任何聯華電子可能違反法律的指控，聯華電子都將嚴正以對，並擬竭
力回應該等指控。

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