長江存儲計畫跳過96層方案：2020年上馬12 - 3C

長江存儲計畫跳過96層方案：2020年上馬128層堆疊閃存
http://news.mydrivers.com/1/603/603635.htm

3D堆疊、TLC/QLC閃存等技術的發展，讓大容量、低價格的SSD成為可能。為了讓容價比更
上一層樓，72層、96層堆疊技術正如火如荼，預計在2019年迎來量產爆發期，包括 Intel
、美光、三星、SK海力士、東芝等都做了規劃。

雖然只是業內新人，不過我國的長江存儲已經開始供貨32層閃存產品，並預期在明年第三
、四季度量產64層堆疊的3D NAND閃存芯片，該芯片現正處於出樣階段。

據Digitimes報導，長江存儲最新的技術路線圖是，跳過96層閃存，直接在2020年左右上
馬量產128層堆疊產品。

這樣一來，長江存儲就很有希望在代際上追平同時期的傳統大廠，如果產能跟得上，還將
對國外品牌在中國市場的銷售造成可觀的衝擊。

值得一提的是，長江存儲試樣中的64層閃存芯片已用上自主Xtacking架構，即在一片晶圓
上獨立加工負責數據I/O及記憶單元操作的外圍電路，從而將I/O速度提升到3Gbps。

http://img1.mydrivers.com/img/20181116/s_9d6f4bbf1e144db88e1e1ec2280a7f2f.jpg


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