AMD跳過了10nm工藝，但GF的12nm FD-SOI工 - 3C

AMD跳過了10nm工藝，但GF的12nm FD-SOI工藝三年後就流片了

2016-9-9 10:19

AMD及好朋友GlobalFoundries已經決定直接推出未來的7nm製程，不過7nm製程量產至少要
到2020年之後，GlobalFoundries原來還留有一手——他們宣布2019上半年將流片12nm
FD-SOI製程。

目前業界量產的半導體工藝是14/16nm FinFET，下一個節點是10nm FinFET，主要競爭者
是Intel、三星及TSMC，AMD及好朋友GlobalFoundries已經決定跳過10nm，直接推出未來
的7nm工藝，不過7nm製程量產至少要到2020年之後，指望14nm撐過5年也不太現實，
GlobalFoundries原來還留有一手——他們宣布2019上半年將流片12nm FD-SOI製程。


對於半導體製程，目前主流的選擇是從2D晶體管走向3D晶體管，也就是FinFET鰭式晶體管
，Intel最為領先，從22nm就開始用FinFET工藝了。現在TSMC、三星及GlobalFoundries的
16nm、14nm也使用FinFET技術了，未來也會繼續堅持下去。

之前了解過AMD處理器的玩家可能知道，AMD處理器在半導體製程上雖然一直落後Intel，
但卻有獨特的技術——SOI（絕緣上覆矽），這是跟藍色巨人IBM合作的，有個說法認為
SOI技術可將製程工藝提升半代水平，可見其性能之優秀。

不過AMD從32nm製程之後就放棄了SOI，但GlobalFoundries一直有SOI工廠（儘管製程
已經落後），後來還收購了IBM的晶圓廠，後者的Power 8處理器就是SOI生產的，前
不久發布的Power 9處理器依然會使用10nm級別SOI工藝生產，所以不論從哪方面來看，
GlobalFoundries都不能跟SOI工藝說再見。


去年中GlobalFoundries宣布將向外界提供22nm FD-SOI（全耗盡型SOI工藝，簡稱22FDX）
工藝代工，雖然22nm聽上去比目前16/14nm製程要落後，但GF表示其22FDX製程能提供
22nm FinFET工藝級別的性能、功耗，但製造成本與28nm工藝相當，適用於IoT物聯網、主
流行動晶片、RF發射及網絡晶片等。


日前GlobalFoundries公司又宣布了FD-SOI工藝的另一個進展——他們正在開發12nm
FD-SOI工藝（簡稱12FDXTM），它是22nm FD-SOI工藝的後續，性能相當於10nm FinFET工
藝，但功耗低得多，而製造成本比16nm FinFET工藝還要低。

根據官方消息，12FDXTM工藝將提供業界最寬泛的動態電壓，通過軟體控制晶體管能力可
帶來無與倫比的設計彈性，在需要時提供最高性能，靜態時則會具備更高能效。

由於上述優點，12FDXTM工藝適合各種行動晶片、5G、RF發射、嵌入式存儲及汽車電子晶
片等。 GlobalFoundries正在德國德勒斯登Fab 1晶圓廠推進12FDXTM工藝研發，預計2019
年上半年有客戶晶片流片。

值得注意的是，GlobalFoundries拉來為12nm FD-SOI工藝展台的公司和單位有中科院上海
微電子研究所所長Xi Wang博士、NXP半導體、VeriSilicon半導體、CEA Tech及Soitec等
。

GlobalFoundries公佈12nm FD-SOI工藝之後，這也能解釋他們為什麼放棄10nm FinFET工
藝了，因為已經有了性能類似的12nm SOI工藝了，但是GlobalFoundries的SOI工藝客戶主
要是低功耗晶片廠商，並沒有見到AMD的身影，但AMD也不可能一直用14nm撐到2020年甚至
更久之後的7nm工藝，前不久他們與GlobalFoundries的晶圓供貨協議中有提到AMD有權選
擇其他代工廠，並將為此支付GlobalFoundries一筆費用。

http://www.expreview.com/49401.html



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