DRAM掰掰，次世代記憶體換MRAM、PRAM當家 - 3C

DRAM掰掰，次世代記憶體換MRAM、PRAM當家？
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MoneyDJ新聞 2016-07-11 14:32:27 記者 陳苓 報導


DRAM發展快到盡頭，磁性記憶體(MRAM)和相變記憶體(PRAM)是最有潛力的接班人？IBM和
三星電子最近宣稱，「自旋傳輸磁性記憶體(STT-MRAM)」的研究出現突破，有望加速走上
商用之途。

韓媒BusinessKorea 11日報導，IBM和三星在電機電子工程師學會(IEEE) 發布研究論文宣
稱，兩家公司攜手研發的STT-MRAM的生產技術，成功實現10奈秒(nanosecond)的傳輸速度
和超省電架構，理論上表現超越DRAM。

STT-MRAM藉著改變薄膜內的電子旋轉方向、控制電流，表現效能和價格競爭力都優於DRAM
。最重要的是，DRAM很難微縮至10奈米以下，STT-MRAM則沒有此一困擾。業界人士表示，
STT-MRAM是次世代記憶體中最實際的替代方案，95%的現行DRAM生產設備皆可用於製造
STT-MRAM。IBM和三星之外，SK海力士(SK Hynix)和東芝(Toshiba)也協力研發此一技術。

除了STT-MRAM，近來相變記憶體(PRAM)也備受矚目，英特爾的3D Xpoint就包含PRAM技術
。PRMA結合DRAM和NAND Flash優點，速度和耐用性提高1千倍，不過目前仍在理論階段。

去年7月29日英特爾、美光宣布開發出新世代記憶體技術「3D Xpoint」，儲存的資料比
DRAM高出十倍，讀寫速度與耐受度更是NAND型快閃記憶體的1千倍之多，如此革新的技術
讓三星電子、SK Hynix大為緊張。3D XPoint類似次世代ReRAM或PRAM科技，能完全改變資
料儲存的方式，半導體專家相信，自從東芝在1987年首次展示NAND型快閃記憶體之後，
3D XPoint會是這30年間一個相當重要的變革。

韓媒BusinessKorea去年6月報導，南韓半導體業者指出，16奈米將是DRAM微縮製程的最後
極限，10 奈米以下製程需要縮小電晶體體積，但是薄膜厚度卻無法縮減，也可能不適合
採用高介電常數（High-K）材料和電極。MRAM和ReRAM因此備受期待，認為可以取代DRAM
和NAND Flash，業者正全力研發。

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STT-MRAM 3D XPoint
IBM+三星+SK海力士+東芝 VS 英特爾+美光


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