DRAM價格仍然維持上升 預期最快明年初才 - 3C

DRAM價格仍然維持上升
預期最快明年初才回復正常產能
文: Jack Choi / 新聞中心

自 SK Hynix 無錫廠房 9 月發生火災引導 DRAM 產能受損後，過
去近 2 個月來 DRAM 合約價格持續上揚，而主流模組 4GB 10 月
價格也較 9 月成長超過 6.25% ，而且現貨與合約顆粒價格也越來
越接近。據市場調查機構 DRAMeXchange 按照，無錫廠復工時間可
能從原訂 11 月延後至 12 月，未來兩季 DRAM 仍將短缺，預期價
格仍會上漲。

據了解，雖然 SK Hynix 在火災發生後致力回復無錫廠產能，而且
目前已經重啟部份機台進行少量的試產，以確認設備能否正常運作
，預期最快要到明年初才能正式為客戶供貨，在此之前仍將面臨供
貨短少的狀況。

自火災發生後，現貨顆粒價格已上漲超過 40% ，而且據
DRAMeXchange 指出， DRAM 價格也在每月逐步攀升當中，其中在
截至 10 月 31 日為止， DDR3 4Gb 顆粒價格最高達到 4.6 美元
， DDR3 2Gb 價格則達到 2.43 美元， DRAM 模組合約價方面，
10 月上旬主流 DDR3 4GB 模組合約價也達到 34 美元。

雖然 SK Hynix 無錫廠房復工仍需時間，但據 TrendForce 指出，
目前 Samsung 已調整生產策略，分別在 Line12 與 Line16 廠新
增產能，提升 PC-DRAM 的生產比重；另一方面， SK Hynix 也會
把韓國的 M10 與 M12 廠部分將產能利用率進一步提高，亦同時將
部分 NAND Flash 產能轉向 DRAM 生產，以彌補無錫廠房損失的產
能。

同時， TrendForce 預期兩家合併新增的產能約在每月 10 萬片到
12 萬片間，已可等同一座無錫廠房提供的產能，第 4 季末
Samsung 與 SK Hynix 的新增與轉換的產能夠為 DRAM 市場大量
投片，預期產出可在明年第 1 季陸續浮現，但由於近期產能增加
效果需要待明年初才會陸續浮現，因此短期內供貨減少的現況將不
易改變，估計價格上漲趨勢維持不變。

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