GF 3D-FinFET 大幅減低電流流失 - 3C

3D FinFET 電晶體 大幅減低電流流失

GlobalFoundries 14nm-XM 制程架構

文: Jeff Lau / 新聞中心

http://global.hkepc.com/8395

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針對行動裝置市場，提供更細小的面積空間以及減低所需功耗，讓行動裝置體積得以減少
，以及延長電池續航行力，半導體廠商 GlobalFoundries 日前宣佈將採用 14nm-XM 制程
架構，並首次引入 3D FinFET 電晶體，為立體 (SoC) 晶片設計，預期將於 2014 年正式
量產。

14nm-XM 制程架構中的 XM 代表「極端流動性」，結合了 20nmLPM 和 14nm FinFET ，透
過開發已在進行中的 20nmLPM 技術，利用較成熟的 20nm-LPM 平穩地遷移到 FinFET 技
術中。

據 GlobalFoundries 表示， FinFET 的架構需要傳統 3D 晶體管的設計，以及轉動在其
一側的導電通道，進而達致在一個 3D 的結構所包圍的柵極，用於控制電流的流動，透過
3D 晶體管減低電流流失，令行動裝置電池壽命更長久。

同時， GlobalFoundries 亦進一步指出，透過 14nm-XM 制程架構對功耗的優化，能夠比
20nm 2D 電晶體技術改善 40-60 ％的電池續航力表現，而且在相同電壓下可提升
20-55% 效能表現，利用 14NM-XM 架構的性能和功耗之間取得理想的平衡，同時盡量減
少晶片尺寸和成本。

此外， GLOBALFOUNDRIES 針對在 FinFET 加工技術上，宣佈與 ARM 達成合作考議，共為
ARM 處理器提供優化的 SoC 方案，將共同優化 ARM Cortex-A 系列處理器，並推動生產
IP 平台，以促進快速遷移到 3D FinFET 晶體管技術。

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GF要離開起跑線了？

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