HP、SanDisk 新技術，稱比 NAND 快 1 千倍
韓廠獨霸記憶體市場，美國業者不甘落後，計劃絕地反攻，繼英特爾（Intel）和美光（Micron）之後，惠普（HP）也宣布和 SanDisk 合作研發「可變電阻式記憶體」（ReRAM）科技。新技術可取代 DRAM，速度並是 NAND Flash 的 1 千倍。
Computerworld、霸榮（Barronˋs）財經網站報導，惠普和 SanDisk 8 日宣布長期結盟，將結合惠普的記憶電阻（Memristor）和 SanDisk 的 ReRAM 技術，開發記憶體導向運算的新企業解決方案。兩家公司宣稱，新技術的速度和耐受度為 Flash 的 1 千倍，成本、用電量、密度也優於 DRAM，將可解決社群媒體、保全、行動運算、海量資料、雲端、物聯網的龐大數據匯流需求。
Susquehanna Financial Group 的 Mehdi Hosseini 報告預估，ReRAM 可能是繼 3D NAND 之後的新技術，或許會在 2020 年漸成氣候，近期內不大可能成真。惠普和 SanDisk 砸下重金研發，ReRAM 科技將有大幅進展。
來源:科技新報
http://technews.tw/2015/10/12/hp-sandisk-reram/
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