標題:Intel 10nm工藝會引入新材料「鈷」,電遷移性能可提升1000倍
來源:http://www.expreview.com/58161.html
內文:https://i.imgur.com/64PHGwx.jpg
看來這應該是intel真正的大絕招
不過還是希望下一代不要開蓋就能穩穩的超
8代的導熱問題好像比以前更明顯 該是時候換材料了...
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看來這應該是intel真正的大絕招
不過還是希望下一代不要開蓋就能穩穩的超
8代的導熱問題好像比以前更明顯 該是時候換材料了...
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