Intel 10nm揭秘：晶體管密度比肩台積電/ - 3C

Intel 10nm工藝揭秘：晶體管密度比肩台積電/三星7nm

http://news.mydrivers.com/1/580/580711.htm

Intel 14nm工藝已經連續用了三代，還要再用一次，10nm則因為良品率始終無法達到滿意
程度而一再推遲，現在跳票到了2019年，而且上半年還是下半年Intel自己都不確定。

相比之下，台積電、三星已經開始量產7nm，GlobalFoundries 7nm也不遠了。

Intel的技術真的不行了？顯然不是。雖然都叫xxnm，但是對比之下，Intel無疑是最為嚴
謹的，一直在追求最高的技術指標，也正因為如此再加上半導體工藝難度急劇增加，
Intel 10nm才一直難產。

目前，Intel 10nm處理器已經小批量出貨，已知產品只有一款低壓低功耗的Core
i3-8121U，由聯想IdeaPad 330筆記本首發。

TechInsight分析了這顆處理器，獲得了一些驚人的發現，直接證實了Intel新工藝的先進
性。

分析發現，Intel 10nm工藝使用了第三代FinFET立體晶體管技術，晶體管密度達到了每平
方毫米1.008億個(符合官方宣稱)，是目前14nm的足足2.7倍！

作為對比，三星10nm工藝晶體管密度不過每平方毫米5510萬個，僅相當於Intel的一半多
點，7nm則是每平方毫米1.0123億個，勉強高過Intel 10nm。

至於台積電、GF兩家的7nm，晶體管密度比三星還要低一些。

換言之，僅就晶體管集成度而言，Intel 10nm的確和對手的7nm站在同一檔次上，甚至還
要更好！

另外，Intel 10nm的最小柵極間距(Gate Pitch)從70nm縮小到54nm，最小金屬間距
(Metal Pitch)從52nm縮小到36nm，同樣遠胜對手。

事實上與現有其他10nm以及未來的7nm相比，Intel 10nm擁有最好的間距縮小指標。

Intel 10nm的其他亮點還有：

－ BEOL後端工藝中首次使用了金屬銅、釕(Ru)，後者是一種貴金屬

－ BEOL後端和接觸位上首次使用自對齊曝光方案(self-aligned patterning scheme)

－ 6.2-Track高密度庫實現超級縮放(Hyperscaling)

－ Cell級別的COAG(Contact on active gate)技術

當然了，技術指標再先進，最終也要轉換成有競爭力的產品，才算數。

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