Intel/Micron推 3D Xpoint 記憶體革命 - 儲存設備

原網址：http://goo.gl/ZSiYGR

　　記憶體的重大突破出現！7 月 29 日美光與英特爾共同發表新型非揮發性記憶體晶片
3D XPoint，且可同時取代 DRAM 與 NAND 在運算端的需求，據官方發表的資訊，速度將
可提升到 NAND Flash 的 1,000 倍、密度將比 DRAM 高出 10 倍，處理器與資料之間的
延遲將可被降低，當分析速度加快，也開啟了更大的運用範疇，機器學習、即時追蹤疾病
以及超擬真 8K 遊戲等在未來都將成為可能。

　　半導體產業每隔幾年總有新型記憶體技術發表，諸如惠普、IBM、還有飛思卡爾等都
嘗試過創造要比現有技術更快、密度更高、成本更低廉或各種條件權衡之下的替代品，但
大多都因為昂貴、易碎等因素難以取代主流技術。

　　英特爾與美光早在 2005 年即一同攜手進軍 NAND Flash 市場，7 月 29 日又再一同
發表新的 3D XPoint 非揮發性記憶體，成為挑戰者之一，且意圖做個革新者，3D
XPoint 技術意圖取代 DRAM 與 NAND Falsh 在運算端的需求，且其強調，已在成本與功
耗、效能之間取得平衡。

　　3D X point 為獨立在 DRAM 與 NAND 以外的全新「Non-Volatile Memory Form
Factor」，英特爾稱此為 1989 年 NAND 快閃晶片推出以來，第一個新的記憶體類別。

記憶體時代演進圖
http://img.technews.tw/wp-content/uploads/2015/07/memorytech.jpg

3D Xpoint架構圖
http://i.imgur.com/t2OwUhV.png
memorytech
（Source：Fortune）

　　其不像 DRAM，3D X point 不需要電晶體就可以執行讀寫，結構上近似現在較先進的
3D NAND 技術皆為 3D 架構，但不像 NAND 以電荷將資訊儲存於元件，而是儲存在架構
中字組線（word line）與位元線（bit line）的交叉點上，系統因此得以單獨存取每個
儲存單元，當系統能以小單位讀取與寫入資料，讀寫程序將變得更快，目前官方給的訊息
，記憶體儲存單元配置共 1,280 億個，且為可堆疊，目前初步技術堆疊至兩層、每個晶
粒能儲存 128Gb，未來將持續發展更高層的堆疊技術增加儲存容量。

　　英特爾聲稱，3D X point 的密度比 DRAM 高出 10 倍，速度與耐用度比 NAND 高出
1,000 倍。先前三星推出 8Gb DDR4 DRAM，新技術的發表讓美光也放話，未來將可提供
容量高達 2TB、密度比 DRAM 高 125 倍的 DRAM 晶片。

　　3D X point 基本上大幅降低了處理器與資料之間的延遲，預估未來也將有更多嶄新
的運用，拓展出機器學習、即時追蹤疾病以及超擬真 8K 遊戲等發展。

　　英特爾表示，3D X point 將於 2015 年稍晚送樣給特定客戶，而英特爾與美光目前
已開始著手開發包含 3D X point 技術的相關產品。記憶體儲存相關調研機構
DRAMeXchange 預估，初期 3D X point 該將先出現於高階的伺服器與商業應用端。

　　受到新技術發表的激勵，英特爾股價 28 日上漲了 2.15% 收在 28.96 美元、美光股
價更勁揚了 9%，來到 19.75 美元。

原文參考資料：
http://goo.gl/VUn9Fb
http://goo.gl/BJ7kK5
http://goo.gl/TznKup

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