Intel 今日稍早詳細公開了最新的製程與封裝技術規畫，不僅帶來了極具野心的新時程，同時也重新命名了其節點，將其節點與物理尺寸脫勾。
目前對於節點的命名（也就是我們常說的「幾奈米」）是以半導體上最小的零組件尺寸為基礎，雖然說就廣義上來說代表示技術演進的世代，但就算是這些零組件本身，也會因為結構和技術，而在性能上有著差異。
這使得 Intel 的 10nm 技術有著雖然與他廠 7nm 類似的性能表現，但在紙面上看起來就是差了一個世代
因此 Intel 將在節點命名中捨棄直接使用奈米數，而是將節點「概念化」
將即將上市的 10nm Enhanced Superfin 改名為「Intel 7」，並且隨後推出「Intel 4」、「Intel 3」等，依此類推。
Intel 7 依然是以 FinFET 技術的最佳化為主，相較於目前最新的 10nm SuperFIN，每瓦效能約可提升 10~15%。Intel 7 將會用在今年底的 Alder Lake 筆電處理器與明年初的 Sapphire Rapids 資料中心處理器上。Intel 4 則是使用極紫外光（EUV）微影技術來進行微縮，預計每瓦效能可以再提升 20%，並將在 2022 年下半年開始量產，2023 年開始出貨。
率先採用 Intel 4 的產品預計為再次世代的 Meteor Lake 消費型處理器與 Granite Rapids 資料中心處理器。而 Intel 3 則是 FinFET 的最後一次登場，運用 FinFET 與 EUV 的再進一步最佳化，實現相較於 Intel 4 再 18% 的每瓦效能成長。Intel 3 預計 2023 下半年開始生產
https://chinese.engadget.com/intel-chip-roadmap-7-nm-20-a-050039884.html
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