Kingston SSD 64G VS WD 640g AAKS raid0 - 儲存設備

※ 引述《jansia (Ich Liebe Dich)》之銘言：
: ※ 引述《ChampionHare (無敵兔 []~(￣▽￣)~*)》之銘言：
: : 我隨便舉一個好了 SSD壞了 資料怎麼救 ？
: 您舉的例子就是我上黃色的部分
: btw,這個其實是小弟很好奇的部分，因為不在業界工作
: 我們都知道硬碟因為碰撞甚麼的問題會壞掉
: 但是flash 本身的損壞狀況跟耐受條件不知道又是怎麼一回事..
: 不知道有沒有業界人士可以偷偷透露一下不機密部分，給個common sense :P
: : 這只是您的解釋罷了 對於廠商來說 目前SSD市場就是面對performance user

SSD 算法絕對有商業機密,可以明講.我們Lab 是用Reverse engineering去搞
因為不做商業性應用也沒事

Flash 有二個特性
Endurance :
指Flash的耐操度，即Flash的讀寫次數。一般Flash在讀寫次數超過一定值後，會變成非
常不穩定，甚至會影響資料的存取。



FLASH 是以電壓不同記錄0,1訊號
Floating gate ( 浮動閘或電荷儲存單元). 中儲存的電壓 .會隨著讀寫次數的增加變化
。
Vt變化由原本的(-3～1 V)變成(-0.5～2V)，造則成讀寫錯誤。

當在Program或Erase時 電子在穿越穿隧氧化層時(SiO2)，
會在SiO2介面造成電洞 會與氫結合，造成SiO2變質 記錄電壓就會不準..
就會造成讀寫錯誤.這有賴flash moemory bad block 與ecc機制處理
所以開卡後會有service block. 就是為了預防這狀況

Retention : 指記憶體中資料保存的時限
1. SILC(漏電流) 隨著讀寫次數的增加SILC的效應也隨之增加(原因如同上

2. CHE應力，這是因為當同一條字元線，或同一條位元線上掛幾個記憶包時，當每次讀取
時，記憶包中Vt也會微微上升(原因如第IV項所述)。

一般Flash的規格是，不頻繁讀取寫下 十年也不會造成錯誤


至於SSD 恢復方法有二個手段

1. 修復SSD
載入同主控 同樣nand mormory firmware .

2.把每顆nand flash 用熱風槍吹下 一般來講nand flash 都是tsop 48
再用編程器讀取

還原數據塊...這部份存粹是logical level
其實SSD or USB stick 數據塊比raid 還難搞定

像Toshiba nand flash 初步就先做個xor運算...

SANdisk 做個AES加密


SSD Recovery VS HDD 我個人是這樣覺得
如果原廠放出資料
SSD還是會比傳統硬碟好搞一點
但以目前狀況　　SSD比較麻煩

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推 ericinttu :嵐大大好文推一個
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