PC DRAM 模組供不應求,未來合約價有持續 - 3C

By Cara
at 2017-08-02T18:31
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個人電腦 DRAM 模組供不應求,未來合約價有持續調漲空間
https://finance.technews.tw/2017/08/02/dram-nanya-samsung-skhynix/
根據平面媒體《工商時報》的報導,近期個人電腦的 4GB DDR3/DDR4 模組均價已經上漲
至 28.5 美元,漲幅達到 5%。其上漲的主要原因,是因為因應智慧型手機與資料中心雲
端伺服器出貨量增加,造成包括三星、SK 海力士以及南亞科三大 DRAM 廠將產能轉去生
產行動設備與伺服器專用 DRAM 下,使得個人電腦用 DRAM 產能吃緊的緣故。因此,包括
一線個人電腦的 ODM 與 OEM 廠為鞏固貨源下,同意 DRAM 廠調漲合約價。
報導指出,就目前整體 DRAM 市場來看,在三大 DRAM 廠於 2017 年並無新增產能的情況
下,未來的位元成長只能依賴製程微縮所帶動的成長。不過,這過程中還有新製程轉換良
率的問題,再加上日前台灣美光桃園廠所發生氣體外洩污染事件,都使得市場面臨供需吃
緊的情況,市場預估 2017 年下半年 DRAM 供不應求的情況將會持續到年底。
根據集邦科技對市場的研究表示,目前主流的 4GB DDR3/DDR4 模組合約均價 7 月份已經
調漲至 28.5 美元的價格,相較第 2 季均價漲幅約為 5%。預計,整體第 3 季 DRAM 合
約價已經上漲約 5% 之後,第 4 季仍會會再上漲的空間。累計個人電腦 DRAM 模組的合
均價 2017 年以來,則已經由 18 美元漲至 28.5 美元,漲幅已經高達 58%。
報導中進一步指出,第 3 季個人電腦用 DRAM 合約價調漲的動作,勢必帶動行動裝置與
伺服器專用 DRAM 的漲價趨勢。這樣的情況,對於國內記憶體大廠南亞科來說,因為 20
奈米製程上在 5 月取得客戶驗證並提前量產,年底前產能可以達到每月 3 萬片,2018
年上半年再精進到每月 3.8 萬片的情況下,未來的獲利可望逐漸成長。
另外,在全球記憶體龍頭南韓的三星方面,因應市場產品短缺的情況,將可能會把位於華
城 Line 17 廠中部份 NAND Flash 產能遷移到平澤廠,再設法增加每月 4 萬到 5 萬片
的 DRAM 產能,以供應客戶需求。
至於,另一家南韓記憶體大廠 SK 海力士方面,則是希望能在 M14 廠調配出每月 2 萬片
的空間,用以建置 DRAM 新生產線。至於,美光在日本廣島及台灣桃園的產能則已經達到
滿載狀態,目前正積極規劃的台中廠二期產能,預計建置 17 奈米每月 3 萬到 4 萬片產
能。但預計量產的時間必須要到 2018 年下半年,目前恐來不及因應市場的需求。
--
通路:任意門的貨到了,忍痛漲價
--
https://finance.technews.tw/2017/08/02/dram-nanya-samsung-skhynix/
根據平面媒體《工商時報》的報導,近期個人電腦的 4GB DDR3/DDR4 模組均價已經上漲
至 28.5 美元,漲幅達到 5%。其上漲的主要原因,是因為因應智慧型手機與資料中心雲
端伺服器出貨量增加,造成包括三星、SK 海力士以及南亞科三大 DRAM 廠將產能轉去生
產行動設備與伺服器專用 DRAM 下,使得個人電腦用 DRAM 產能吃緊的緣故。因此,包括
一線個人電腦的 ODM 與 OEM 廠為鞏固貨源下,同意 DRAM 廠調漲合約價。
報導指出,就目前整體 DRAM 市場來看,在三大 DRAM 廠於 2017 年並無新增產能的情況
下,未來的位元成長只能依賴製程微縮所帶動的成長。不過,這過程中還有新製程轉換良
率的問題,再加上日前台灣美光桃園廠所發生氣體外洩污染事件,都使得市場面臨供需吃
緊的情況,市場預估 2017 年下半年 DRAM 供不應求的情況將會持續到年底。
根據集邦科技對市場的研究表示,目前主流的 4GB DDR3/DDR4 模組合約均價 7 月份已經
調漲至 28.5 美元的價格,相較第 2 季均價漲幅約為 5%。預計,整體第 3 季 DRAM 合
約價已經上漲約 5% 之後,第 4 季仍會會再上漲的空間。累計個人電腦 DRAM 模組的合
均價 2017 年以來,則已經由 18 美元漲至 28.5 美元,漲幅已經高達 58%。
報導中進一步指出,第 3 季個人電腦用 DRAM 合約價調漲的動作,勢必帶動行動裝置與
伺服器專用 DRAM 的漲價趨勢。這樣的情況,對於國內記憶體大廠南亞科來說,因為 20
奈米製程上在 5 月取得客戶驗證並提前量產,年底前產能可以達到每月 3 萬片,2018
年上半年再精進到每月 3.8 萬片的情況下,未來的獲利可望逐漸成長。
另外,在全球記憶體龍頭南韓的三星方面,因應市場產品短缺的情況,將可能會把位於華
城 Line 17 廠中部份 NAND Flash 產能遷移到平澤廠,再設法增加每月 4 萬到 5 萬片
的 DRAM 產能,以供應客戶需求。
至於,另一家南韓記憶體大廠 SK 海力士方面,則是希望能在 M14 廠調配出每月 2 萬片
的空間,用以建置 DRAM 新生產線。至於,美光在日本廣島及台灣桃園的產能則已經達到
滿載狀態,目前正積極規劃的台中廠二期產能,預計建置 17 奈米每月 3 萬到 4 萬片產
能。但預計量產的時間必須要到 2018 年下半年,目前恐來不及因應市場的需求。
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