WD披露其第四代BiCS4 3D NAND快閃記憶體進展非常滿意
已經出貨給特定零售客戶，SSD、隨身碟、記憶卡等產品也不遠了
WD(和Toshiba)的BiCS4技術採用96層堆疊設計，可用來製造TLC、QLC NAND顆粒。
根據WD去年的說法，96層堆疊初期用來製造3D TLC，單Die容量256Gb(32GB)
而在良品率足夠高之後，會轉向更高容量的3D TLC，並最終製造3D QLC
容量可達1Tb(128GB)。WD和Toshiba去年還曾經宣布過單Die容量768Gb(96GB)的BiCS3 64
層堆疊3D QLC顆粒
很可能會在96層QLC之前上市。
QLC每單元可以保存4bit數據，相比TLC又多了三分之一，既有利於做大容量，也有利於降
低成本
必然是快閃記憶體廠商們未來的重點，哪怕它壽命和性能繼續大幅度下滑
美光此前已經出貨了第一款採用QLC的固態硬碟，擦寫壽命只有區區1000次，完全不適合
頻繁寫入使用。
來源 https://www.cnbeta.com/articles/soft/731371.htm
XF編譯
http://www.xfastest.com/thread-219923-1-1.html
都已經2018了 你還在那邊該 TLC 哦
QLC 都要出了 2019
你輸了吧 哈
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