Samsung 首款 32GB DDR4-2666 SoDIMM - 3C

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於 10nm 工藝、比上代提高 39％ 效能
Samsung 首款 32GB DDR4-2666 SoDIMM


Samsung 官方正式宣佈已開始大規模生產業內首款 32GB DDR4 記憶體，適用於小型雙列
直插式 SoDIMM 記憶體模塊的遊戲筆記本電腦，新的 SoDIMM 基於 10nm 工藝製造，提供
更大的容量、更高的速度和更低的能耗，為 PC 級遊戲電腦帶來更快速的處理能力。

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Samsung 全新 32GB DDR4 記憶體採用 10nm 級別工藝製造，是一款全新的記憶體解決方
案，可讓個人電腦製造商可以構建更快速度的遊戲筆記本電腦，其電池續航時間更長，超
越傳統移動工作站，同時維持現有的個人電腦配置。Samsung 表示，與 2014 年推出的基
於 20nm 8Gb DDR4 的 Samsung 16GB SoDIMM 相比，新款 32GB 模塊的容量提升了一倍，
並提高了 11% 的速度及 39% 的運作效能。

Samsung 最新的 16GB 千兆位（Gb）DDR4 DRAM 晶片 ( 前後各安裝 8 顆晶片 ) 共有 16
顆，32GB 容量的 SoDIMM 記憶體可讓遊戲筆記本電腦的速度達到 2,666 Mbps，在同時配
置兩組 32GB DDR4 記憶體模組的 64GB 筆記本電腦，在主動模式下功耗不到4.6W，閒置
時功耗低於 1.4W。Samsung 補充說，與目前配備 16GB 模組的遊戲筆記本電腦相比，這
分別將功耗降低了 39% 及 25% 以上。

Samsung 表示，已經開始積極擴展其業界最大的 10nm 級 DRAM 陣容（16Gb LPDDR4、
16Gb GDDR5 和 16Gb DDR4），這將在移動、圖形、PC 及伺服器領域帶來 16Gb DRAM 的
新時代，並且隨後會拓展至包括超級計算機和汽車系統等的其他市場

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大RAM時代來臨??
還是新期貨??

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