SK Hynix的DDR5記憶體–擁有高達8400MHz - 3C

SK Hynix公佈了最新的DDR5路線圖，並已確認今年將開始限量生產下一代DRAM
早在2018年11月SK Hynix宣布開發了業界首個根據JEDEC標準構建的1Ynm 16Gb DDR5 DRAM
現在它們使我們對下一步有一個大致了解。

據SK Hynix稱與DDR4相比，DDR5旨在提供兩倍以上的頻寬。據稱從DDR3到DDR4一直追溯到
2013年
頻寬增加了33％（從1600 Mbps增加到2133 Mbps）
借助DDR5，SK Hynix的目標是使每個DIMM的頻寬增加50％以上。

SK Hynix在其DDR5規格表中提到，我們正在研究的速度從3200MHz一直到DDR5的8400MHz
相比之下按照JEDEC標準，DDR4的速度範圍為1600至3200 MHz，但是我們已經看到各種記
憶體製造商
將DDR4的後端更新推到5000 MHz。以類似的方式，我們可能不會一開始就看到8400MHz
DIMM，一旦DRAM成熟
它們可能最終會被啟動。

如果我們考慮將DDR5的頻寬增加50％，那麼我們將在DDR5的第一個更新中看到更為保守的
4800MHz DRAM速度
與我們在DDR4 DIMM上看到的標準速度（通常為2800）相比，該速度仍然較快）。

就密度而言DDR5最高可支援64 Gb DRAM密度，在單個DIMM上最多可支援64GB DDR5
SK Hynix還計劃生產24Gb和32Gb DRAM，這將產生24GB或48GB的容量
具體取決於記憶體供應商是否要採用雙容量路線。目前有幾家記憶體製造商提供雙容量
DDR4
而主機板供應商在各自的平台上增加了對此類DIMM的支援這始於Intel Z390平台，此後也
被推到某些X299主機板上。

DDR5將導入更高頻寬所需的其他功能包括：容量大小增加一倍（32 banks對16 banks）
並且Burst Length也增加了一倍，與DDR4的8個相比，增加為16個。第三，DDR4在刷新時
無法執行其他操作
因此在刷新定時無法從系統訪問它。但是DDR5採用了Same Bank Refresh功能
允許系統在某些儲存區執行時訪問其他儲存區，從而提高了記憶體訪問的可用性。

就功率效率而言，DDR5的工作電壓為1.1V，而DDR4的工作電壓為1.2V。因此我們可以看到
功耗降低20％
DDR5還將擁有ECC和ECS功能，從而可以進一步降低針對伺服器的平台的成本。

IDC報導稱DDR5預計將在2021年佔整個DRAM市場的22％，到2022年將佔43％
就平台而言AMD的第三代EPYC Genoa和Intel的Sapphire Rapids Xeon伺服器處理器都將支
援DDR5
目前尚不清楚何時會在消費者平台上看到新的記憶體標準，但是隨著AMD於2021年推出其
Zen 4處理器
以及Intel推出其下一代Alder Lake CPU，我們很可能會看到DDR5在2021年末或2022年初
在消費者方面採取行動。

來源

https://wccftech.com/sk-hynix-ddr5-memory-up-to-8400-mhz-speeds-64-gb-dram-mass-production-this-year/
XF編譯
https://www.xfastest.com/thread-239881-1-1.html


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