SK 海力士搶先量產業界首款 128 層 4D NA - 3C

SK 海力士搶先量產業界首款 128 層 4D NAND Flash
https://technews.tw/2019/06/26/sk-hynix-128-layers-4d-nand-flash/

作者 MoneyDJ | 發布日期 2019 年 06 月 26 日 16:00 | 分類 國際貿易 , 記憶體

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南韓記憶體大廠 SK 海力士（SK Hynix）26 日宣布，
將開始量產採用 128 層 4D NAND 型快閃記憶體（NAND Flash）
技術的 1TB 三階儲存單元（TLC），
不僅儲存密度達業界最高，而 SK 海力士也是全球首家商業化規模生產的業者。

韓聯社週三報導，這款 128 層堆疊的 4D NAND Flash 預計下半年開始出貨。

據 SK 海力士表示，TLC 規格晶片具有出色的性能和可靠性，
目前占 NAND Flash 市場比重 85% 以上。

SK 海力士指出，若採用 128 層的 1TB NAND Flash，
使用在 1TB 容量產品的 NAND 晶片數量將減少一半。

隨著堆疊層數持續躍增，NAND Flash 容量也大幅成長，
SK 海力士表示，已著手研發下一代 176 層 4D NAND Flash。

韓聯社 4 月 3 日報導，
南韓晶片巨頭三星電子（Samsung Electronics）
和 SK 海力士 2018 年繼續維持在全球半導體市場的領先地位。

根據 TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMeXchange）最新調查，
三星去年 NAND Flash 銷售額為 221.9 億美元，全球市場市占率達 35%，高居第一；
日本東芝（Toshiba）以 19.2% 市占率排名第二；
SK 海力士市占率 10.6%，排名第五。

Pulse News 21 日報導，由於晶片產業持續低迷和中國需求放緩，
南韓出口額已連續第 7 個月呈現驟降。

據南韓海關 21 日公布的最新數據，南韓 6 月 1~20 日的出口總額為 272 億美元，
比去年同期下降 10%。

其中，占出口總額 17% 的半導體出口額大跌 24.3%。

（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：SK 海力士）
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