原文出處：
http://www.xtremesystems.org/forums/showthread.php?271063-SSD-Write-Endurance-25nm-Vs-34nm
縮網址：
http://tinyurl.com/3vybsa9
在國外論譠剛好看到有網友在做寫入測試
就轉來和大家分享
目前寫入仍持續進行中
25nm的FLASH官方說法是可以抹除3000次的壽命
但M4 64G目前SMART的資料上是顯示平均5228次：
(註：Marvell晶片88S9174是用靜態抹除-Static Wear-leveling
應很接近實際上的抹除次數。)
共寫入了304TB的資料。
而intel 320 40G是用動態抹除(Dynamic Wear-leveling)的方式
也寫抹除了8047次。(SMART訊息沒有，應該他們自己推算來的。)
共寫入了284TB的資料。
個人感想：
34nm官方說法是可抹除5000次，論譠上測試X25-V也寫了236TB。
我個人平常的使用上只把IE設在RAMDisk上，其他分頁檔也沒什麼轉。
24小時開機正常使用，沒下載什麼東西在SSD上，用軟體監測24小時，
約寫入4GB。所以就算要把25nm的FLASH寫壞，是不太可能的事。
大多應該週邊的電路故障比較有可能。
再者，SSD較新的控制晶片論效能跟韌體的優化，還是會比上一代好。
如M4跟C300，及X25-M跟320。
像X25-M跟320同樣用PC29A這顆控制晶片，但寫入放大就由1.06到1.02。
當然這也有可能是誤差範圍，但持續寫入倒是進步不少。
寫入壽命我想已經不是考量的重點了，應該效能上即控制晶片的考量。
像有段時間的控制IC - 像Indilinx的Barfoot跟S3C29系列的，
寫入放大差，隨機存取效能也不是很好，我想演算法一直在進步改良，
它們平均抹除運算，應該也落後了不少。
目前看看，還是考慮Mavell、Intel跟Sanforce的方案。
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http://www.xtremesystems.org/forums/showthread.php?271063-SSD-Write-Endurance-25nm-Vs-34nm
縮網址：
http://tinyurl.com/3vybsa9
在國外論譠剛好看到有網友在做寫入測試
就轉來和大家分享
目前寫入仍持續進行中
25nm的FLASH官方說法是可以抹除3000次的壽命
但M4 64G目前SMART的資料上是顯示平均5228次：
(註：Marvell晶片88S9174是用靜態抹除-Static Wear-leveling
應很接近實際上的抹除次數。)
共寫入了304TB的資料。
而intel 320 40G是用動態抹除(Dynamic Wear-leveling)的方式
也寫抹除了8047次。(SMART訊息沒有，應該他們自己推算來的。)
共寫入了284TB的資料。
個人感想：
34nm官方說法是可抹除5000次，論譠上測試X25-V也寫了236TB。
我個人平常的使用上只把IE設在RAMDisk上，其他分頁檔也沒什麼轉。
24小時開機正常使用，沒下載什麼東西在SSD上，用軟體監測24小時，
約寫入4GB。所以就算要把25nm的FLASH寫壞，是不太可能的事。
大多應該週邊的電路故障比較有可能。
再者，SSD較新的控制晶片論效能跟韌體的優化，還是會比上一代好。
如M4跟C300，及X25-M跟320。
像X25-M跟320同樣用PC29A這顆控制晶片，但寫入放大就由1.06到1.02。
當然這也有可能是誤差範圍，但持續寫入倒是進步不少。
寫入壽命我想已經不是考量的重點了，應該效能上即控制晶片的考量。
像有段時間的控制IC - 像Indilinx的Barfoot跟S3C29系列的，
寫入放大差，隨機存取效能也不是很好，我想演算法一直在進步改良，
它們平均抹除運算，應該也落後了不少。
目前看看，還是考慮Mavell、Intel跟Sanforce的方案。
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