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東芝、SanDisk 在日本聯合運營了一家快閃記憶體生產廠
並攜手開發新的快閃記憶體製造工藝
雙方今天聯合宣佈，已經開始了第二代 19nm 快閃記憶體的批量生產
並將在本月底以此投產新的 2bpc / MLC 64Gb NAND 快閃記憶體顆粒
相較於第一代 19nm
新工藝將快閃記憶體單元的尺寸從 19×26nm縮小到 19×19.5nm
節約了整整 25％ 的內核面積
從而可以實現更大容量或者更小面積的顆粒
東芝稱
新的 MLC 64Gb 快閃記憶體顆粒面積僅有區區 94 平方毫米，是世界上最小的
加上獨有的變成演算法、多級資料存儲管理機制
新的快閃記憶體在性能、可靠性、成本上同樣有很好的保障
再輔以獨特的高速寫入方法
東芝宣稱其寫入速度最高可達 25MB/s，同樣是 MLC NAND 快閃記憶體中最快的
SanDisk 預計很快就會發佈使用這種新顆粒的新固態硬碟
此外，東芝還在使用這種第二代 19nm 工藝研發 3bpc TLC NAND 快閃記憶體
預計本季度內就會批量投產
通過新開發的 eMMC 相容控制器
這種快閃記憶體將首先用於智慧手機、平板機
然後再開發回應的固態硬碟控制器，延伸到筆記本中
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