WD與Toshiba宣布128層3D NAND：單顆512Gb - 3C

BiCS4是48+48層堆疊而來，並非一次堆疊96層。
好處是每次堆疊48層是成熟製程，搞定兩次堆疊的對準問題以及相關的流程設計(比方說
第二次蝕刻要怎樣才能不傷害第一次對疊的結構)，就會有96層的產品。
BiCS5我認為是64+64而來的128層，目前業界並沒有能一次做到128層的產品，因此toshib
a的BiCS5應該會是最高層數產品。
下一個世代應該是192(96+96)，我想這部份可能會是三星先做出來。

另外就是CMOS under ARY (CuA)的技術，讓原本不容易微縮的晶粒面積更進一步的縮小，
也少了很多平坦化(CMP)的難度，最早是在IM 32層(更正)的產品上看到的。這個技術應
該會越來越長聽到。海力士的4D NAND，多出來的1D就是CuA。

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