三星 Galaxy S9 將可能率先採用速度更快 - 手機討論

三星 Galaxy S9 將可能率先採用速度更快的 UFS 3.0 儲存元件

http://m.eprice.com.tw/mobile/talk/4523/5049922/1/
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固態技術協會 (JEDEC)稍早公佈UFS 3.0版本標準JESD220D與JESD223D，另外也公佈UFS記
憶卡1.1版本標準JESD220-2A，其中UFS 3.0將採用HS-G4設計規範，可讓單通道資料傳輸
頻寬可達11.6Gbps，亦即為UFS 2.1採用HS-G3設計規範的傳輸頻寬2倍左右。而三星稍早
已經透露將在今年第一季內推出首款採用UFS 3.0儲存元件的產品，因此將可能應用在即
將推出的Galaxy S9系列機種。

https://i.imgur.com/pZiNtV2.jpg

三星在推出Galaxy S6系列時宣布導入存取速度更快的UFS 2.1儲存元件，因此在Galaxy S
9系列採用傳輸效率更高的UFS 3.0儲存元件似乎不算意外。但無論是Qualcomm Snapdrago
n 845，或是三星Exynos 9810的說明並未特別提及是否支援UFS 3.0，因此不確定若Galax
y S9系列支援此規範設計的儲存元件，是否藉由額外控制元件管理資料存放，或是直接透
過處理器管理。

由於UFS 3.0設計規範可讓單通道資料傳輸頻寬可達11.6Gbps，配合UFS支援雙通道、雙向
讀寫特性，因此資料傳輸頻寬最高可達23.2Gbps，對應每秒傳遞2.9GB資料量效果，對於
存取資料越來越龐大，同時反應速度必須更快的智慧型手機發展，將有更好使用優勢。

另外，UFS 3.0規範也讓資料錯誤校正效率提昇，以2.5v電壓即可驅動，同時也支援新版N
AND Flash設計，支援在攝氏零下40度至105度的極端溫度環境下正常使用，因此可應用在
自動駕駛車輛或深度學習等進階需求。至於接腳部分則支援MIPI規範，其中接腳採MIPI M
-PHY v4.1規範設計，而資料傳輸則依據MIPI UniProSM v1.8設計。

而UFS記憶卡1.1版本設計則加入相容HS-G1、HS-G2與HS-G3設計規範，而整體資料存取速
度最高可達每秒1.5GB。
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是的，三星是世界著名的ram/rom製造商，幾乎每間旗艦都採用他們家的ufs。而s6系列率
先所有手機廠，採用了UFS 2.0（內文打錯），真的非常的快，我用朋友S6用TWRP備份一
下子就好了，從電腦傳檔案到手機也是很快。

這次S9系列是否會率先全球，成為第一款採用UFS 3.0的裝置呢？非常值得期待。

不過不知道能不能超越nVME就是了...

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