三星 SSD 750 EVO登場16nm TLC NAND Flas - 3C

與近期推出的部分SSD相同，Samsung新產品採用了TLC NAND Flash。
Samsung正式發表SSD 750 EVO，雖然部分規格已經在去年11月不小心被Tom’s Hardware
公布。

此款SSD與近期數款產品相同，均導入了TLC NAND Flash，但製程部分有些不同。
Toshiba TLC NAND Flash為15nm製程，而Samsung方面則是16nm製程。
Samsung SSD 750 EVO搭配與850 EVO相同的MGX控制器，但不同之處在於32-layer的
128Gbit TLC V-NAND搭配。

NAND Flash差異也讓兩個系列SSD有了一些不同。Samsung SSD 850 EVO在256GB版本搭配
512MB快取記憶體
但在SSD 750 EVO則降到256MB，同時Endurance也從75TB降到120GB的35TB和250GB的70TB
。

Samsung SSD 750 EV0僅提供三年保固。容量有120GB與250GB，讀寫表現分別在540MB/s和
520MB/s。

來源：
https://benchlife.info/samsung-ssd-750-evo-with-16nm-tlc-nand-flash-02172016/


無法抵擋的 TLC 潮流
不能不要

--