三星30nm 2G LPDDR3及128G NAND模組量產 - 儲存設備

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在使用 30nm 級別工藝量產 2GB LPDDR2 記憶體模組的一年之後

三星開始了 30nm 級別工藝 2GB LPDDR3 記憶體模組的量產

這款 LPDDR3 記憶體模組的工作頻率為 1600MHz

比同級別工藝 LPDDR2 模組還要快 50%

理論資料傳輸速率可達 12.8GB/s，非常適合用在智慧手機或平板電腦等移動設備上



這款記憶體模組是通過 4 塊 4Gb LPDDR3 記憶體晶片封裝而成，總容量為 2GB

雖然傳統 PC 例如桌上型電腦和筆記型電腦等產品作用不大

但是對智慧手機和平板電腦來說就非常有用

意味著只需一塊晶片即可提供 2GB 的記憶體

從現有的發展趨勢來說，智慧手機和平板電腦的記憶體容量很快就會達到 2GB 的水準



除此之外，三星亦開始量產 128GB 的 NAND 快閃記憶體模組

同樣使用 30nm 級別工藝並通過多晶片封裝而成

主要針對的仍然是智慧手機與平板電腦領域



縱觀目前整個移動設備領域，特別是智慧手機與平板電腦領域

只有部分旗艦級產品會提供 64GB 的內置存儲空間，能配置更高容量的產品基本不存在

三星這次量產 128GB NAND 快閃記憶體模組則為未來的新旗艦打下了“超大容量”的基礎



既然三星已經量產 30nm 級別 2GB LPDDR3 記憶體模組和 128GB NAND 快閃記憶體模組

那麼預計在 MWC 2013 大會上露面的 Galaxy S IV 手機

是不是會具備 2GB 記憶體和 128GB 的存儲容量呢？

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2G RAM 內建 128G...恩....

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