三星、英特爾展示記憶體閃亮新星MRAM - 3C

在第 64 屆國際電子器件會議 (IEDM) 上，全球兩大半導體龍頭英特爾及三星展示嵌入式
MRAM 在邏輯晶片製造工藝中的新技術。

MRAM (Magnetic Random Access Memory，磁阻式隨機存取記憶體)，是一種非易失性記憶
體技術，從 1990 年代開始發展。此技術速度接近靜態隨機記憶體的高速讀取寫入能力，
具有快閃記憶體的非揮發性，容量密度及使用壽命不輸 DRAM，但平均能耗遠低於 DRAM，
而且基本上可以無限次地重複寫入。

英特爾曾表示其嵌入式 MRAM 技術可在 200 攝氏度下實現長達 10 年的記憶期，並可在
超過 106 個開關週期內實現持久性。並且英特爾在其 22 FFL 工藝中，描述 STT-MRAM (
基於 MRAM 的自旋轉移力矩) 非易失性記憶體的關鍵特性。英特爾稱之其為「首款基於
FinFET 的 MRAM 技術」。

這項技術可相當於「生產準備就緒」的階段，英特爾並沒有向任何代工客戶透露該流程資
訊，但從多個訊息源來看，目前正在出貨的商品中已經採用這項技術。

至於三星也稱其 8Mb MRAM 的續航能力為 106 次，記憶期為 10 年。而三星技術最初將
用於物聯網應用。三星研發中心首席工程師 Yoon Jong Song 表示，在將其用於汽車和工
業應用之前，可靠性必須提高。三星已成功將技術從實驗室轉移到工廠，並將在不久的將
來商用化。

三星並在 28nm FDSOI 平臺上宣稱，在可擴展性、形狀依賴性、磁性可擴展性等方面來衡
量，STT-MRAM 目前被認為是最好的 MRAM 技術。

隨著記憶體產業朝向更小的節點轉變，在技術上面臨著嚴峻的可擴充性挑戰。MRAM 除了
被視為能夠取代傳統記憶體晶片 DRAM 和 NAND 的候選人，還被視為一項充滿吸引力的嵌
入式技術，可以替代快閃記憶體和嵌入式 SRAM。

主要在於它具有快速讀取寫入時間，高耐用性和優秀的保留性。嵌入式 MRAM 被認為特別
適用於例如物聯網 (IoT) 設備之類的應用，也趕搭上 5G 世代的列車。

隨著製造成本下降以及其他記憶體技術面臨可擴展性挑戰，嵌入式 MRAM 正獲得更多消費
性產品的關注。重要的是，隨著新工藝技術的發展，SRAM 單元的尺寸不會隨著剩餘的工
藝而縮小，從這點來看，MRAM 變得越來越有吸引力。

來源:鉅亨網
連結:https://news.cnyes.com/news/id/4256745?exp=b
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