三星已用GAAFET技術打造出SRAM芯片，預計 - 3C

三星已用GAAFET技術打造出SRAM芯片，預計2022年用在3nm工藝上
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三星在去年年初就宣佈他們攻克了3nm工藝的關鍵技術GAAFET全環繞柵極晶體管工藝，預
計會在2022年正式推出這種工藝，目前關於此工藝的消息甚少，tomshardware報導說三星
在IEEE國際集成電路會議上，三星公佈了3GAE工藝的一些細節。

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GAAFET其實有兩種，一種是使用納米線作為電子晶體管鰭片的常見GAAFET，另外一種則是
以納米片形式出現的較厚鰭片的多橋通道場效應電子晶體管MBCFET。兩種都在柵極材料所
在側面上圍繞溝道區，納米線與納米片的實現方式很大程度上取決於設計，一般而言都用
GAAFET來描述兩者。

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GAAFET其實早在1988年就出現了，這種晶體管的結構使得設計人員可以通過調節晶體管通
道的寬度來精確地對其進行調諧，以實現高性能或低功耗。較寬的薄片可以在更高的功率
下實現更高的性能，而較薄/較窄的薄片可以降低功耗和性能。在FinFET上實現類似的設
計時，工程師必須使用額外的鰭來改善性能。但是在這種情況下，晶體管通道的“寬度”
只能增加一倍或兩倍，精度不是很好，有時效率很低。

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三星表示，與7LPP工藝相比，3GAE工藝可在同樣功耗下讓性能提高30%，同樣頻率下能讓
功耗降低50%，晶體管密度最高可提高80%。

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三星展示了首個使用MBCFET技術的SRAM芯片，這個256Gb芯片的面積是56mm2，與現有芯片
相比這個用MBCFET技術的寫入電壓降低了230mV，可見MBCFET確實能讓降低功耗。

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SRAM其實是比較簡單的芯片，目前還沒有見到三星能用這種技術生產複製芯片的能力，但
相信給些時間三星就能解決這問題，預計3nm MBCFET製程會在2022年投產。


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