三星搶先業界量產第2代 1y 奈米製程 DRAM - 3C

消息來源：TechNews

完整標題：三星宣布搶先業界量產第二代 1y 奈米製程 DRAM

內文：
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南韓科技大廠三星 20 日宣布，已經開始量產第二代的 1y 奈米製程的 DRAM 產品。三星
表示，該項 DRAM 產品為 8Gb 的 DDR4 DRAM 第二代產品。相較於上一代產品來說，新
的 8Gb DDR4 具有 8Gb DRAM 記憶體中最高的性能和耗能效率，另外還有更小的面積尺寸
。

三星進一步指出，透過開發 DRAM 的電路設計和製程技術創新，三星已經突破了 DRAM 擴
展性的主要障礙。透過第二代 1y 奈米製程生產的 DRAM 快速成長，三星將更加積極地擴
展整體的 1y 奈米製程程的 DRAM 產品產能，以因應強勁的市場需求，並繼續加強三星的
業務競爭力。

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據了解，三星的第二代 1y 奈米製程所生產的 8Gb DDR4，比第一代 1y 奈米製程的 8Gb
DDR4 DRAM 在生產效率上提高了近 30%。此外，由於採用了先進的專有電路設計技術，新
的 8Gb DDR4 的性能水準和功耗分別提高了約 10% 和 15%。另外，新的 8Gb DDR4 每個
引腳可以以每秒 3,600 Mbps 的速度運行，比第一代 1y 奈米製程的 8Gb DDR4 DRAM 的
3,200 Mbps 速度，提升了超過 10%。

三星進一步表示，為了達成這些成績，三星應用了新技術，包括了使用高靈敏度的細胞數
據傳感系統和漸進的 「空氣間隔」 方案，但是並沒有使用 EUV 技術。而在第二代 1y
奈米製程所生產的 8Gb DDR4 的每個單元中，新設計的數據感測系統可以更準確地確定每
個單元中儲存的數據，進而顯著提高電路整合度和製造效率。

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目前在全球 DRAM 三大廠中，包括三星及美光都在 2016 年陸續導入 10 奈米等級製程，
而 SK 海力士則是到 2017 年中之後才開始逐步進入 10 奈米等級製程。不過，根據之前
所傳出的消息，三星與美光兩家公司在導入 10 奈米等級製程的過程並不順利，都先後出
現過相關產品有瑕疵而召回的情況，而這也是自 2016 年中以來 DRAM 市場一直供不應求
、價格節節攀升的原因之一。如今，在三星第二代 10 奈米等級製程的 DRAM 產品量產下
，是否能逐步滿足市場的需求，業界人士都在密切關注著。

(首圖來源:三星官網)

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