三星明年完成3nm GAA工藝開發 性能大漲35 - 3C

三星明年完成3nm GAA工藝開發 性能大漲35%
http://news.mydrivers.com/1/645/645658.htm

儘管日本嚴格管制半導體材料多少都會影響三星的芯片、面板研發、生產，但是上週三星
依然在日本舉行了“三星晶圓代工論壇”SFF會議，公佈了旗下新一代工藝的進展，其中
3nm工藝明年就完成開發了。

三星在10nm、7nm及5nm節點的進度都會比台積電要晚一些，導致台積電幾乎包攬了目前的
7nm芯片訂單，三星只搶到IBM、NVIDIA及高通部分訂單。不過三星已經把目標放在了未來
的3nm工藝上，預計2021年量產。

在3nm節點，三星將從FinFET晶體管轉向GAA環繞柵極晶體管工藝，其中3nm工藝使用的是
第一代GAA晶體管，官方稱之為3GAE工藝。

根據官方所說，基於全新的GAA晶體管結構，三星通過使用納米片設備製造出了MBCFET（
Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管），該技術可以顯著增強晶體管性能，
主要取代FinFET晶體管技術。

此外，MBCFET技術還能兼容現有的FinFET製造工藝的技術及設備，從而加速工藝開發及生
產。

在這次的日本SFF會議上，三星還公佈了3nm工藝的具體指標，與現在的7nm工藝相比，3nm
工藝可將核心面積減少45%，功耗降低50%，性能提升35%。

在工藝進度上，三星今年4月份已經在韓國華城的S3 Line工廠生產7nm芯片，今年內完成
4nm工藝開發，2020年完成3nm工藝開發。


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