三星發布 HBM2E 高頻寬記憶體單晶片16GB - 3C

作為GPU技術大會（GTC）的一部分，Samsung推出了新一代HBM2
叫做Flashbolt，我們稱之為高頻寬記憶體（HBM2E）。
使用Flashbolt HBM2，Samsung將數據速率從每引腳2.4 GBit/s提高到3.2 GBit/s，提高
了33％
此外記憶體每個晶片的容量為16 GBit。具有八個儲存器層的堆棧擁有16GB的容量和
410GB/s的頻寬。
在當前的顯示卡使用HBM2像AMD Radeon RX Vega56和64 以及NVIDIA Titan V
可達到820或1230GB的記憶體頻寬/秒將成為可能。配備四個堆棧（例如NVIDIA Tesla
V100或AMD Radeon VII）的卡甚至可以到1.64TB/s。

目前Samsung沒有提供有關Flashbolt HBM2的任何進一步細節。因此沒有提到有關工作電
壓的訊息
而且DRAM層的製造技術是未知的。Samsung肯定會在稍後提供更多細節。

來源

https://www.hardwareluxx.de/index.php/news/hardware/grafikkarten/48996-schneller-speicher-samsungs-flashbolt-hbm2-erreicht-3-2-gbit-s.html

XF編譯
https://www.xfastest.com/thread-226779-1-1.html

老黃新卡技術 又要用到賣貴了

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塔型空冷名將群 ︰
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