國外媒體分享了2021年 Samsung 技術日的一些公開資訊
透漏了一些未來記憶體的技術以及路線圖
不過簡報照片多數是不能公開的，但仍有一些相關資訊分享。
DDR5 記憶體目前才剛隨著 Intel 12代進入市場，不過隨即缺貨，基本上要到真的主流且
多數平台使用預計要到2023年
雖還有兩年時間，但 Samsung 已經談到了下一代的 DDR6 記憶體，將會帶來兩倍的速度
與帶寬。
DDR6 標準還未被 JEDEC 正式化，不過預設規格可能會在 12800 Mbit/s
但這只是初階開發階段，未來超頻記憶體模組可能會達到 17000 Mbit/s。
DDR6 每個模組將會有4個通道，是 DDR5 的兩倍，記憶體 bank 數量會增加到64個，是
DDR4 標準的四倍。
關於 GDDR6 以及之後標準的規格 Samsung 也透漏了一些資訊，Samsung 正在開發
GDDR6+ 的標準
提供高達 24Gbps 的速度，相比目前 GDDR6 提供的 18Gbps 要提升33%，該標準將會採用
Samsung 1z nm 製程。
另外 GDDR7 標準也在路線圖上，不過目前沒有任何可用日期
GDDR7 將會增加到 32Gbps 的速度，並有即時錯誤保護功能，除此之外也沒有更多的細節
。
來源消息還稱 Samsung 將會在2022年第二季開始生產 HBM3 記憶體。
https://i.imgur.com/1JQsY83.png
滄者編譯 https://reurl.cc/V5ZrM5
到時候又會問 DDR6 CL 怎麼這麼鬆 老掉牙問題 從DDR1問到DDR5還在問
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