三星開始量產 10nm 128G TLC NAND - 儲存設備

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三星宣布開始量產 10nm 的 128Gb TLC NAND 快閃記憶體晶片

在去年 11 月時三星才開始生產 10nm 的 64Gb TLC NAND 快閃記憶體晶片

而現在已經翻倍了


據 Softpedia 介紹，新的快閃記憶體晶片將會應用於 128GB 的記憶卡

500GB 或更高容量的 SSD 固態硬碟，PCI-E 的 SSD，還有其他方面


三星表示新晶片使用了 Toggle DDR 2.0 介面，傳輸速度可以達到 400Mbps

而儲存密度也是業界最高的

與 20nm 的 64Gb TLC 快閃記憶體晶片相比

10nm 的 128Gb TLC 快閃記憶體晶片產品的生產力可以達到它的兩倍

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容量↑ 壽命＿


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