三星電子全球首次量產第三代V-NAND閃存 - 儲存設備

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三星電子全球首次量產第三代V-NAND閃存

孫海容 記者 2015.08.12 10:51

三星電子全球首次成功批量生產了第三代256Gb V-NANDNand Flash。在越來越廣闊的Nand
Flash市場，三星的戰略是以技術差距鞏固其在該行業獨領風騷的地位。V-NAND是將儲存數
據的“單元”（cell）像公寓那樣使用三維垂直結構堆疊而成的Nand Flash，目前世界上
只有三星電子在批量生產。 　

8月11日三星電子消息稱，第三代V-NAND可以承受比以“單元”為標準的第二代128G（32
層）多1.5倍，即有48層。雖然大小和現有的產品一樣，但因為層數越高，就可以堆疊更
多的單元，存儲容量可增加到256Gb。得益於此，第三代V-NAND只要一個芯片，就可以打
造出裝載在智能手機上的32GB（1GB=8Gb）容量存儲卡。三星電子於2013年8月首次量產
V-NAND（24層）後，目前正以每年更新一代V-NAND的速度發展。 　

尤其是第三代V-NAND，存儲數據比第二代更快，從而可減少30%以上的電能消耗。再加上
使用了已有的量產設備，產品效率提高了約40%。也就是說成本競爭力大大增強。 　

近來由於超高清畫質（UHD）資訊增加而引起的儲存裝置高容量化、取代硬盤驅動器（HDD
）固態硬盤（SSD）的需求增加等，服務器及移動手機所需芯片需求正在急劇增加。三星
電子已占據全世界約37%的NAND Flah市場，其第三代V-NAND的開發預計會進一步加強三星
電子的市場支配力。 　

對三星電子來說，V-NAND是很特別的。目前為止，三星電子得到的評價都是別人首先開發
出技術，卻比別人更快讓其得以發展。然而V-NAND是三星電子在世界上首次獨自開發出來
的技術。這具有三星電子從“快跟”（fast follower）轉向“先行”（first mover）的
象徵意義。 　

三星電子計劃提高V-NAND的競爭力，不容許競爭企業超越自己。這就是所謂的“超差距”
戰略。首先，以明年批量生產為目標，正在準備纍積64層的第四代產品。三星電子計劃在
整個NAND Flash中提高V-NAND的生產比重。沒有選擇垂直結構而是選擇平面結構製作方式
的競爭者們目前還無法推出V-NAND。三星電子相關人員稱，“瞄準快速發展的企業和數據
中心市場，計劃推出適用V-NAND技術的新一代SSD相關產品”。



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