三星電子量產速度提高7倍的DRAM - 儲存設備

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三星電子量產速度提高7倍的DRAM

孫海容 記者 2016.01.20 14:04

超高速DRAM使三星電子的半導體技術進一步得到進化。三星電子1月19日宣布正式開始比
現在的DRAM提速7倍的第二代“4GB HBM2 DRAM ”。 　

DRAM是協助計算機的大腦CPU在進行演算時寫入和抹除數據的設備，DRAM的數據處理速度
越高，電腦的性能也會得到相應提高。

三星電子計劃通過量產4GB HBM2應對高性能計算（HPC）、高性能顯卡等信息技術（IT）
設備的需求。 　

三星電子消息稱，這一新產品使用了在DRAM芯片上打穿5000多個小孔進行上下連接的硅通
孔（TSV）技術，與以往利用金線連接上下層的方式相比，數據通道更多，可以提高處理
速度。4GB HBM DRAM每秒可傳輸256GB信息，比同屬4GB級別的GDDR5處理數據的速度快7倍
。



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