中國NAND Flash產業最快一年多後衝擊南韓 - 儲存設備

中國 NAND Flash 產業最快一年多後衝擊南韓相關企業
作者 Atkinson | 發布日期 2018 年 11 月 06 日 19:10 | 分類 國際貿易 , 記憶體

根據韓國科技媒體 《DDaily》 的報導指出，南韓半導體業界人士透露，相較 DRAM 市場
，來自中國的 NAND Flash 快閃記憶體製造商威脅已近在眼前。雖然， DRAM 也必須持續
保持注意力。但是，目前中國的 DRAM 企業要想對南韓的相關企業造成影響還很難，尤其
是在近期美國政府出重手制裁中國的 DRAM 製造商福建晉華之後。相對來說，NAND
Flash 快閃記憶體要影響韓國企業，目前可能只剩一年多的時間就看得到。

報導指出，佈局中國市場的南韓半導體設備企業相關人士指出，先前設備業界對中國記憶
體市場的期待很大。但是，最近這樣的期待感已經消失。對此，該人士解釋指出，DRAM
不僅很難討論其量產時期，最近還因為美國的制裁，因此暫時排除了 DRAM 對南韓企業的
影響。

但是在 NAND Flash 快閃記憶體，一方面長江存儲已經加快腳步，預計 2019 年第 4 季
將量產 64 層堆疊的 3D NAND Flash 快閃記憶體。另一方面，64 層堆疊的 3D NAND
Flash 快閃記憶體雖然開始量產，但預計其占比不會很大，因為長江存儲主要目標，是在
於快速進入 128 層堆疊 3D NAND Flash 快閃記憶體的量產。而且，預計到 2019 年第
3 季，量產的確切時間就將會出現輪廓。

整體看來，隨著中國的 DRAM 產業受貿易戰的影響，未來發展變得難以預測的情況下，另
一方面紫光集團正在加速 NAND Flash 快閃記憶體的開發。日前，紫光集團才宣布投入
240 億美元，預計在成都建造新的基地，這也意味著紫光集團進入NAND Flash 快閃記憶
體市場已經到達最後的關鍵時刻。此外，紫光集團目前沒有出現訴訟問題，NAND Flash
快閃記憶體也和軍事敏感問題沾不上邊，技術難度也相對較小，發展的阻力不多，因此前
進速度也會加快，使得為些南韓業者的時間差距也逐漸縮小中。

https://finance.technews.tw/2018/11/06/nand-flash-for-china-vs-korea/

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電梯繼續向下?

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