全球96層3D NAND產量將自2019第二季開始 - 3C

全球96層3D NAND產量將自2019第二季開始擴大

原文來源網址:
http://iknow.stpi.narl.org.tw/Post/Read.aspx?PostID=15583

由於，市場預期96層3D NAND的全球產量將自2019第二季開始擴大，這可能將會為今年的
SSD市場與價格帶來更多變數。自2018年以來，快閃記憶體價格一直在下跌，主要原因是
64層及72層3D晶片的供應增加。預估至今年(2019)年底，快閃記憶體價格甚至會跌至每GB
不到0.1美元的新低價。

因此，主要NAND廠商已經開始放慢產能擴張的步伐。然而，新一代96層3D NAND產量的腳
步似乎仍不停歇。據IDC最近報告，全球NAND flash市場的QLC比率，預計將從2019年的3%
上升至2023年的22%。

SK海力士甚至開發出1TB容量的QLC晶片。SK海力士開發出基於96層4D NAND技術的1TB容量
四級單元（quadruple level cell；QLC）晶片，這款高度整合的產品，具更大的資料儲
存容量，也為SK海力士的全面NAND記憶體事業揭開序幕。SK海力士於2019年5月9日宣布，
新產品的樣品已經提供給固態硬碟（SSD）控制器製造商。這項產品可視為現有96層電荷
儲存式快閃記憶體（CTF）4D NAND及QLC設計技術的結合。

此外，SK海力士將4D NAND的優勢應用於一個四平面架構(a four-plane structure)，成
為一個小平面。該平面是在一個單元及其周邊電路中獨立工作的單元組合。SK海力士的新
產品能夠同時在四平面處理64 KB資料，而現有產品只能同時在兩平面處理32KB資料。

SK海力士正計畫透過新產品QLC軟體開發演算法和控制器，以便盡快推出解決方案產品。

記憶體領導大廠三星電子方面，已於2019年1月宣布推出970 EVO Plus系列固態硬碟，採
用三星自家Phoenix控制器，快閃記憶體晶片從64層堆疊V-NAND TLC升級為96層堆疊
V-NAND TLC。同時，三星已經大大提高了其96層3D NAND產品的良率，已經量產並用於
Galaxy Fold上的512GB UFS 3.0就是基於該技術。三星還計劃於今(2019)下半年推出用於
QLC的96層製程技術的新解決方案。

另外，TOSHIBA最近推出了利用96層3D製程技術的新一代產品和UFS 3.0產品。美光開發了
96層再加工設備技術，計畫2019年第二季批量生產。(865字；圖1)

[註解]
QLC是在NAND每單元中存儲四位元(four-bit)資料，是資料存儲的最小單位。NAND快閃記
憶體分為SLC（每單元存儲一位元資料）、MLC（每單元存儲二位元資料）、TLC（每單元
存儲三位元資料）以及QLC（每單元存儲四位元資料），換句話說，相同區域，QLC的資料
存儲容量是SLC的四倍。QLC允許在同一區域內更高程度的整合，因此，高容量產品可以大
大降低成本。然而，這需要非常高程度的單元整合在一片如指甲大小的晶片中，十分不易
，1TB的QLC需要2748億個IC單元。


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SSD準備下半年正式開啟低價大容量時代了
可能下半年以後手機256G起跳 SSD裝機碟變512G起
貴又慢的中小容量HDD真的越來越沒市場
不過看到海力士就會想到N500.......
我看我還是等美光或是TOSHIBA顆粒好了

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