全球首款 美光176 層NAND快閃記憶體正式 - 3C

全球首款 美光176 層NAND快閃記憶體正式出貨
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全球首款，美光科技宣布176層NAND快閃記憶體正式出貨。資料照片

圖片來源 : 蘋果新聞網
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記憶體大廠美光科技（Ｍicron）今日宣布全球首款176層3D NAND快閃記憶體
已正式出貨，實現前所未有、領先業界的儲存容量和效能。

美光新推出的176層技術及先進架構為一重大突破，
可大幅提高資料中心、智慧邊緣運算以及手機裝置等儲存使用案例的應用效能。

美光指出，176層 NAND 為業界樹立了新標竿，此層數比最接近競爭對手高出近 40%。

結合美光的 CuA（CMOS-under-array）架構，
該技術使美光得以維持在產業中的成本領先優勢。

美光的 176 層 NAND 是美光第5代 3D NAND
以及第二代替換閘（Replacement Gate）架構，為市場上技術最先進的 NAND 節點。

與上一代的高容量 3D NAND 相比，
美光176 層 NAND 的讀取延遲和寫入延遲改善超過 35% ，可大幅提高應用的效能。

美光的 176 層 NAND 設計精巧，採用比同業最佳競品還要小 30% 的晶粒，
是小尺寸解決方案的理想選擇。

美光指出， 176 層 NAND 有助於客戶實現突破性的產品創新，
正廣泛地將這項技術使用在所有可能採用NAND的產品線中，
並為使用 NAND 的所有領域帶來新價值，
尤其是 5G、人工智慧、雲端及智慧邊緣運算的成長機會。

憑藉其通用的設計和領先業界的儲存容量，
美光 176 層 NAND 是眾多領域技術人員的工具箱中，不可或缺的重要元件，
包括手機儲存、自動駕駛系統、車載資訊娛樂系統
以及客戶端和資料中心固態硬碟（SSD）。

美光 176 層 NAND 提供更好的服務品質（QoS)，此為資料中心 SSD 的關鍵設計標準，
可以加速資料密集環境和工作負載，例如資料湖、人工智慧引擎以及大數據分析。

對 5G 智慧型手機而言，
強化的服務品質（QoS）使其能更快地在多個應用程式之間進行載入和轉換，
創造更流暢且快速的手機使用體驗，實現真正的多工作業，並充分利用 5G 低延遲網路。

美光第5代 3D NAND 的 ONFI（Open NAND Flash Interface）匯流排，
提供業界最高的資料傳輸率 1,600 MT/s，提升了 33%。

ONFI 的速度提升可加快系統啟動並強化應用效能。

在汽車應用中，此速度將在引擎啟動後立即為車載系統提供接近即時的回應時間，
有助於加強使用者體驗。

美光正與業界開發商展開合作，以迅速將新產品整合至解決方案中。

為簡化韌體研發，美光的 176 層 NAND 採用一次寫入演算法（One-Pass Program），
使整合更容易並加快上市時間。

隨著摩爾定律的放緩，
美光在 3D NAND 的創新對確保業界跟上不斷增加的資料需求至關重要。

為了實現此里程碑，美光獨家結合其堆疊式替換閘架構、嶄新的電荷捕捉儲存方式
以及 CuA（CMOS-under-array）技術。

美光 3D NAND 專家團隊亦利用公司的CuA 專利技術取得飛快的進展，
在晶片邏輯上建造多層次堆疊，使更多記憶體能夠裝入更緊密的空間，
並大幅度地縮小了 176 層 NAND 的晶粒尺寸，從而使每個晶圓達到更高的 GB。

同時，美光透過將其 NAND 單元技術從傳統的浮閘式轉變為電荷捕捉式，
改善未來 NAND 的可擴充性以及效能。

此電荷捕捉技術結合美光的替換閘架構，
並利用高導電性金屬字元線（word line）代替矽層以實現無與倫比的 3D NAND 效能。

美光採用此技術也使公司得以有效地領先業界降低生產成本。

美光透過採用這些先進技術來改善耐用性，
對航空業的黑盒子和影像監控錄影等密集寫入的使用案例特別有益。

在手機儲存方面，176 層 NAND 的替換閘架構可使混合工作負載效能提高 15%，
以支援超快速邊緣運算、強化 AI 推論以及高畫質且即時的多人遊戲。

（楊喻斐／台北報導）
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心得：美光未來可能有更大容量 SSD 要推出 等詳細型號和產品推出市場觀察價位囉

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