再論haswell - 3C

上各論壇找了資料, 以及看了 haswell 的 datasheet 後,
目前已知幾個非常有趣的現象:

1. 整機功耗比 IVB 低, 無論是滿載或是空載

2. CPU 比 IVB 熱

3. haswell 的 電源只剩兩組: Vcc 跟 Vddq (記憶體用)

4. 據稱以上狀況得歸功於 FIVR 的關係,
但我們並沒有在 haswell 看到當初宣稱的 Power cell chip
(而且 Vcc 並不是想像中的吃 12v)

由於主機板上仍然有 MOSFET , 所以我認為 MOSFET 並沒有
整合進 haswell, 但上面所列的又都是事實......

所以我推論:

我們本來以為 FIVR 會取代掉主機板上的 VRM controller / MOSFET,
實則不然, 應該是化整為零, 在CPU內對每個細部做調控
(所以看die會看不出來在哪一塊)

但這樣一來, 超頻加壓的意義在哪? VRM 的 R 就是指 regulator,
理論上只要輸入電壓符合設計, 輸出是不太會變的... 所以應該我們怎麼加壓,
CPU內部的電壓都是恆定才對。

從這個角度去思考, 只能說 FIVR 會一定程度隨著 Vcc 變動,
去微幅調升/降他所控制的各部電壓.....

如果這個理論正確的話, 加/減壓對 haswell 的意義,
會少於以往的CPU; 而減壓可能還能增加較多的溫度餘裕。

不知道這樣的理論是否正確.....

幾個思考方向

1. 熱+FIVR = 這次的確會難超... 那ES為何會好超呢,
除了大家猜測的挑體質好, 或是用較好的導熱材質,
還有可能是 FIVR 隨 Vcc 的變動幅度比較大?

2. 這樣看起來 haswell 也不是很差, 只是不太適合拿來拼極速跟超頻....
(但你也好歹預設值+原廠扇 要能 Tubro 不掉速啊$#@$^)

3. 也許要有人開蓋 / 降壓超頻 後才知道, haswell 的超頻玩家該何去何從了


--