分析師預測2011年NAND快閃記憶體市場七大趨勢 - 儲存設備

2011年的 NAND快閃記憶體市場將會發生哪些情況？以下是投資銀行Barclays Capital分
析師C.J. Muse所預測的該市場七大發展趨勢：


1. 2011將是 NAND 快閃記憶體年

Muse認為，2011年將是屬於 NAND 的年份；明年3x奈米將是主流製程，2x奈米也將揚眉吐
氣。不過該市場將呈現雙頭寡佔的狀態，由三星(Samsung)與東芝(Toshiba)/Sandisk兩大
廠商總計囊括近75%的生意(市佔率分別為40%與33%)。2011年 NAND 廠商的資本支出規模
也將首度超越 DRAM 廠商。


2. 蘋果效應

平板裝置風潮將帶來龐大的NAND需求量；半導體設備業者應用材料(Applied Materials)
曾預估，將需要一座月產能200 kwspm的初始晶圓廠，才能因應預期中的需求。光是蘋果
(Apple)本身，其明年需求量就可能是今年的兩倍，甚至還有可能達到三倍──因為該品
牌所有的Macbook筆記型電腦現在都是採用固態硬碟(SSD)。


3. 是領導者也是跟隨者的三星

NAND製造商正朝著2x奈米製程節點邁進，而各家廠商不太相同，三星(Samsung)是27奈米
，美光(Micron)是25奈米，東芝是24奈米，海力士(Hynix)則是26奈米。其中三星無疑是
產量與獲利之王，但卻不一定是NAND製程技術的領先者。

在多層單元(multi layer cell)製造技術上，三星的起步較晚，但現在該公司已經同時具
備3x奈米與2x 奈米技術能力；三星2011年將邁入27奈米製程節點，將讓產品成本比3x奈
米製程降低35%。此外該公司也預期，到2010年底，3x奈米製程將可微縮至80%以下。


4. 要感謝東芝…

由於先前的東芝廠停電問題， NAND快閃記憶體明年第一季的價格可望上揚，也許幅度不
是很大，但至少有助於該市場在2011年1~2的維持價格穩定；該停電事件大約讓生產線上
20%的產品受到影響。


5. 東芝平板裝置效應？

東芝目前正積極量產32/24奈米製程，也發表了自有品牌的平板裝置；該公司是在2010年8
月開始量產24奈米製程，其7月份開始興建的新晶圓廠Y5將在明年春天就緒。不過該廠並
不像英特爾(Intel)的18吋晶圓廠D1X，不支援EUV微影設備。


6. 海力士再起

海力士一直以來都遭遇棘手的良率問題，包括在6x奈米與4x奈米製程節點，但該公司最近
的良率已經大幅改善，在3x奈米與2x奈米領域甚至晉身領導級廠商；其逆境求生的本能與
優良的管理策略令人驚豔。

目前海力士正在進行3x奈米製程的轉換，接下來很快就會邁進2x奈米製程，時程約在2011
年中；該公司2010年的產能可望增加30kwspm，2011年估計將再成長3萬片，不過得看他們
是否能在衰弱的財務狀況中，拿出額外的資本支出。


7. 美光力爭上游(不包括英特爾)

最近美光公佈 2011年資本支出規模約在24~29億美元之間，其中有三分之二是花在IM
Flash新加坡(IMFS)的量產；該公司計劃在2011年底將IMFS的產能再提升六成，達到10萬
片晶圓的月產能。

美光與英特爾在IMFS的持股本來各半，前者最近將持股比例提升到71%；IMFS採用的是2位
元MLC架構，應該優於東芝與三星所開發的3位元MLC。美光預期在2011年完成轉換至25奈
米製程。



http://www.eetimes.com/electronics-news/4211760/Seven-trends-for-NAND-flash
http://www.eettaiwan.com/ART_8800630135_628626_NT_1621e440.HTM

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