台積電2nm製程研發取得重大突破 - 3C

台積電衝刺先進製程，在2nm研發有重大突破，已成功找到路徑，將切入環繞式柵極技術(
gate-all-around，簡稱GAA)技術。

消息來源指出，三星已決定在3nm率先導入GAA技術，並宣稱要到2030年超過台積電，取得
全球邏輯晶片代工龍頭地位，台積電研發大軍一刻也不敢鬆懈，積極投入2nm研發，並獲
得技術重大突破，成功找到切入GAA路徑。

台積電負責研發的資深副總經理羅唯仁，還為此舉辦慶功宴，感謝研發工程師全心投入。

台積電3nm製程預計明年上半年在南科18廠P4廠試產、2022年量產，業界以此推斷，台積
電2nm推出時間將在2023年到2024年間。

台積電今年4月曾表示，3nm仍會沿用FinFET（鰭式場效應晶體管）技術，主要考慮是客戶
在導入5nm製程後，採用同 樣的設計即可導入3nm製程，可以持續帶給客戶有成本競爭
力、效能表現佳的產品。

台積電成立於1987年，是全球最大的晶圓代工半導體製造廠，客戶包括蘋果、高通等等。
其總部位於台灣新竹的新竹科學工業園區。台積電公司股票在台灣證券交易所上市，股票
代碼為2330，另有美國存託憑證在美國紐約證券交易所掛牌交易，股票代號為TSM。

來源https://news.xfastest.com/tsmc/82753/tsmc-2nm-gaa/

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