台積電確認3奈米製程時間與效能改進程度 - 3C

https://ec.ltn.com.tw/article/breakingnews/3270640
魏哲家：台積電7、5奈米領先全球 3奈米明年試產

(節錄)

魏哲家進一步指出，今年18廠正加速5奈米的量產，台積電5奈米是業界目前最先進的製程
技術，跟7奈米相比，5奈米在速度上提升15%、功耗降低30%，邏輯密度可提升80%，5奈米
製程廣泛採用EUV微影技術，更加鞏固台積在先進製程的領導地位，公司計劃在2021年讓5
奈米的強化版技術進入量產，晶圓18廠是業界第1座生產5奈米的晶圓廠，也是全球最先進
的半導體晶圓廠。

談到業界關注的3奈米技術的進展。魏哲家說，這項製程具備創新的微縮特徵，跟上一代
速度可以提升15%，功耗可以降低30%，邏輯密度可以增加70%，3奈米預計於2021年進行試
產，2022下半年進入量產。同時，台積電也正在與客戶密切合作，定義3奈米之後下個主
要節點的規格進度。

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台積年度技術論壇從四月因疫情延遲，終於用線上舉辦方式進行

兩大亮點: 第一個是未來製程的進度與性能提升。3奈米製程的密度比預期的高，原先預
測是250MTr/mm2，上修到290MTr/mm2。但也是越來越難前進，7nm-->5nm是多80%密度，
5nm-->3nm是多70%密度。假設3nm-->2nm增加60-70%密度，那預計2024量產2nm的密度會是
480MTr/mm2，小勝Intel傳說中的5nm (~400MTr/mm2; 2026?)。

另外一個是把所有先進封裝 CoWoS、InFO-R、Chip on Wafer、Wafer on Wafer合起來，
統一命名叫做TSMC 3DFabric，這個動作應該是方便行銷，對抗三星兩個禮拜前宣布的
X-Cube。

目前tsmc.Samsung.Intel製程密度比較

tsmc 7nm DUV: 97MTr/mm2 (2017試產，2018量產)
Intel 10nm: 101MTr/mm2
tsmc 7nm+ EUV: 114MTr/mm2 (2018試產，2019量產)
Samsung 5LPE: 127MTr/mm2 (預計現在量產，據說延遲出包)
tsmc 5nm: 173MTr/mm2 (2019試產，2020量產)
Intel 7nm: ~200MTr/mm2 (號稱2022下半年-2023上半年debut)
tsmc 3nm: 290MTr/mm2 (2021試產，2022量產)

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