粉絲狂喜!AMD/NV新一代顯卡快到驚人 - 3C
By Sierra Rose
at 2016-03-08T13:31
at 2016-03-08T13:31
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去年,AMD聯合SK海力士歷時8年研發的HBM(高頻寬顯存)首次在Fury顯卡上出現,首發
容量4GB,卻第一次就帶來了512GB/s的頻寬(內部)、4096bit超高位寬。
今年的AMD Polaris和NVIDIA Pascal都將迎來1Xnm的製程革新,與此同時,系列的高端款
式都將搭載HBM2顯存,也就是HBM第二代顯存,頻寬翻倍。
繼三星之後,SK海力士也宣佈將在今年Q3量產4GB HBM2,同時在Q4有望拿出8GB HBM2。
SK海力士的顯存封裝同樣採用的是3D TSV立體矽穿孔技術,也就是在保證結構強度的前提
下在晶片(矽)上直接垂直通孔。這樣做的高出不僅可以大大提升了數據傳輸效率和性能
,而且非常節省空間,當然技術難度也是相當高(要在不影響晶片強度以及完整性的前提
下在一塊DRAM顆粒上打洞,而且是不止一個)。
據瞭解,SK海力士透露,HBM2顯存的客戶不僅有AMD,也有NV,也就是和同胞三星一起爭
搶Pascal高端卡的訂單。
傳言中NV的Pascal旗艦將會有16GB甚至32GB的瘋狂顯存,拭目以待了!
PS:AMD和NV的中端及入門卡將使用GDDR5X,美光在今年夏季量產。
http://news.zol.com.cn/571/5719213.html
--
容量4GB,卻第一次就帶來了512GB/s的頻寬(內部)、4096bit超高位寬。
今年的AMD Polaris和NVIDIA Pascal都將迎來1Xnm的製程革新,與此同時,系列的高端款
式都將搭載HBM2顯存,也就是HBM第二代顯存,頻寬翻倍。
繼三星之後,SK海力士也宣佈將在今年Q3量產4GB HBM2,同時在Q4有望拿出8GB HBM2。
SK海力士的顯存封裝同樣採用的是3D TSV立體矽穿孔技術,也就是在保證結構強度的前提
下在晶片(矽)上直接垂直通孔。這樣做的高出不僅可以大大提升了數據傳輸效率和性能
,而且非常節省空間,當然技術難度也是相當高(要在不影響晶片強度以及完整性的前提
下在一塊DRAM顆粒上打洞,而且是不止一個)。
據瞭解,SK海力士透露,HBM2顯存的客戶不僅有AMD,也有NV,也就是和同胞三星一起爭
搶Pascal高端卡的訂單。
傳言中NV的Pascal旗艦將會有16GB甚至32GB的瘋狂顯存,拭目以待了!
PS:AMD和NV的中端及入門卡將使用GDDR5X,美光在今年夏季量產。
http://news.zol.com.cn/571/5719213.html
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