去年，AMD聯合SK海力士歷時8年研發的HBM（高頻寬顯存）首次在Fury顯卡上出現，首發
容量4GB，卻第一次就帶來了512GB/s的頻寬（內部）、4096bit超高位寬。
今年的AMD Polaris和NVIDIA Pascal都將迎來1Xnm的製程革新，與此同時，系列的高端款
式都將搭載HBM2顯存，也就是HBM第二代顯存，頻寬翻倍。
繼三星之後，SK海力士也宣佈將在今年Q3量產4GB HBM2，同時在Q4有望拿出8GB HBM2。
SK海力士的顯存封裝同樣採用的是3D TSV立體矽穿孔技術，也就是在保證結構強度的前提
下在晶片（矽）上直接垂直通孔。這樣做的高出不僅可以大大提升了數據傳輸效率和性能
，而且非常節省空間，當然技術難度也是相當高（要在不影響晶片強度以及完整性的前提
下在一塊DRAM顆粒上打洞，而且是不止一個）。
據瞭解，SK海力士透露，HBM2顯存的客戶不僅有AMD，也有NV，也就是和同胞三星一起爭
搶Pascal高端卡的訂單。
傳言中NV的Pascal旗艦將會有16GB甚至32GB的瘋狂顯存，拭目以待了！
PS：AMD和NV的中端及入門卡將使用GDDR5X，美光在今年夏季量產。
http://news.zol.com.cn/571/5719213.html
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容量4GB，卻第一次就帶來了512GB/s的頻寬（內部）、4096bit超高位寬。
今年的AMD Polaris和NVIDIA Pascal都將迎來1Xnm的製程革新，與此同時，系列的高端款
式都將搭載HBM2顯存，也就是HBM第二代顯存，頻寬翻倍。
繼三星之後，SK海力士也宣佈將在今年Q3量產4GB HBM2，同時在Q4有望拿出8GB HBM2。
SK海力士的顯存封裝同樣採用的是3D TSV立體矽穿孔技術，也就是在保證結構強度的前提
下在晶片（矽）上直接垂直通孔。這樣做的高出不僅可以大大提升了數據傳輸效率和性能
，而且非常節省空間，當然技術難度也是相當高（要在不影響晶片強度以及完整性的前提
下在一塊DRAM顆粒上打洞，而且是不止一個）。
據瞭解，SK海力士透露，HBM2顯存的客戶不僅有AMD，也有NV，也就是和同胞三星一起爭
搶Pascal高端卡的訂單。
傳言中NV的Pascal旗艦將會有16GB甚至32GB的瘋狂顯存，拭目以待了！
PS：AMD和NV的中端及入門卡將使用GDDR5X，美光在今年夏季量產。
http://news.zol.com.cn/571/5719213.html
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