美光傳砸千億擴增日本 DRAM 產能，台灣廠 - 3C

美光傳砸千億擴增日本 DRAM 產能，台灣廠跟進？

日前傳出全球 DRAM 龍頭廠三星電子恐會在 2016 年、2017 年帶頭砍產能，且減產幅度
更將居業界之冠，不過全球第 3 大DRAM 廠美光（Micron Technology）秉持著「逆勢時
更應該積極投資」的態度，傳出將豪砸千億日圓在日本量產採用全球最先端技術的 DRAM
，擴增產能。

日經新聞 12 日報導，美光計劃於今後 1 年內對日本廣島工廠豪砸 1,000 億日圓資金，
導入最新生產設備，量產全球最先端、採用 16nm 製程技術的 DRAM 產品，且目標為在
2016 年上半年確立 16nm DRAM 的量產技術。

報導指出，目前半導體市況雖疲弱，不過美光期望藉由在逆勢時持續進行積極投資，對抗
全球龍頭廠三星；美光也於上年度（截至 2015 年 8 月底為止的會計年度）對廣島工廠
砸下 1,000 億日圓資金進行增產，故此將為美光連續第 2 年對廣島工廠進行鉅額投資。

據報導，和現行 20nm 製程相比，採用 16nm 製程的每片晶圓可取得的記憶體數量將增加
，預估產能將可提高 2-3 成，而待上述廣島工廠確立 16nm DRAM量產技術之後，美光預
估也會對位於日本、美國、台灣等地的工廠中的其中一座進行追加增產投資；南韓三星電
子目前也量產採用 20nm 製程技術的 DRAM 產品，且也正為量產次世代 DRAM 產品做準備
。

根據報導，美光最高營運負責人（CEO）Mark Duncan 接受日經新聞專訪時表示，市況嚴
峻的時候，才更應該積極投資確立先進技術；他說，行動裝置需求持續走揚，加上每台智
慧手機搭載的記憶體容量變大，故記憶體市場的未來完全不用悲觀。

據報導，美光今年度（截至 2016 年 8 月為止的會計年度）用於設備投資、研發的費用
將年增 4 成至 58 億美元，且投資對象主要為 DARM 和 NAND Flash 等兩大記憶體事業
。

科技新報
http://technews.tw/2015/10/12/micron-dram-2016-taiwan/

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三星想要減產能，反倒是美光想要增加DRAM產能
這種感覺好像似曾相似....

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新しい北上、それがあたし。 ▁▁
▕様北▏
酸素魚雷を満載して、ちょっと大人になったでしょ。 ▕印上▏
￣￣

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