美光放棄、求售工廠 英特爾獨撐3D XPoint - 3C

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※ 引述《madeinheaven ()》之銘言:
: 美光放棄、求售工廠 英特爾獨撐3D XPoint技術
: https://ec.ltn.com.tw/article/breakingnews/3469251
: 美光科技(Micron Technology)和英特爾(Intel)於2015年宣布合作開發非揮發性記憶
: 體技術「3D XPoint」,並各自推出應用該技術的產品。不過美光週二表示,持續開發的
: 費用不再合理,將退出該業務、求售位於猶他州Lehi的工廠。
: 《彭博》報導,美光不再認為此記憶體業務能證明持續開發的費用合理,因此將在其他地
: 方進行投資,商務長Sumit Sadana在電話會議上向分析師表示,出售是因為規模和成本競
: 爭力至關重要。

3D XPoint 技術看來很難在單位容量成本上與 flash 競爭。

有些人可能覺得3D XPoint 可以靠未來製程微縮
來取得優勢, 實際上是很困難的。

因為現在的什麼TLC、QLC實際上已經是類比儲存器,
只是透過了ADC轉換回數位而已。

雖然 3D XPoint 的技術細節還不明朗,
但如果他無法採用類比式儲存、或是採用後會喪失優勢,
那麼在同樣的微縮製程下, 3D XPoint
永遠無法突破 flash 的容量成本。

大概是這樣

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All Comments

Jessica avatarJessica2021-03-19
就定位太尷尬 最後大家覺得不需要在DRAM和NAND之間
再切一層storage hierarchy 出來啊
Christine avatarChristine2021-03-21
當初吹得上打DRAM 下踩NAND 最後誰都取代不了
Lucy avatarLucy2021-03-21
未來屬於MRAM的
Margaret avatarMargaret2021-03-22
STT-MRAM是SRAM和DRAM中間那層的 不是SCM這層的
SCM的單位成本很重要 不然很難贏過3D NAND
Quanna avatarQuanna2021-03-22
嗯,感謝T大解析
Sandy avatarSandy2021-03-23
嗯嗯,沒錯,跟我想的一樣
Doris avatarDoris2021-03-27
簡單講就是flash跌的太快太兇 讓中間夾層沒得賺
Isla avatarIsla2021-03-31
有幸玩過,當硬碟是滿強的,不過價格跟前景不明變的
很尷尬