英特爾預計 2023 年推出 5 奈米 GAA 製程 - 3C

英特爾預計 2023 年推出 5 奈米 GAA 製程，力拼台積電 3 奈米製程

https://finance.technews.tw/2020/03/11/intel-2023-5nm-gaa/

大家應該還記憶猶新的是，之前處理器龍頭英特爾 (intel) 的財務長 George Davis 在
公開場合表示，除了現在 10 奈米產能正在加速之外，英特爾還將恢復製程技術領先的關
鍵部分寄望在未來更先進製程的發展上，包括英特爾將在 2021 年推出 7 奈米製程技術
，並且將在 7 奈米製程的基礎上發展出 5 奈米製程。對於英特爾 5 奈米製程的發展，
現在有外媒表示，在這個節點上英特爾將會放棄 FinFET 電晶體，轉向 GAA 電晶體。

根據外媒 《Profesionalreview》 的報導表示，隨著製程技術的升級，晶片的電晶體製
作也面臨著瓶頸。英特爾最早在 22 奈米的節點上首先使用了 FinFET 電晶體技術，當時
叫做 3D 電晶體，就是將原本平面的電晶體，變成立體的 FinFET 鰭式場效電晶體，於是
提高了晶片的性能，也降低了功耗。之後，FinFET 電晶體也成為全球主要晶圓廠製程發
展的選擇，一直用到現在的 7 奈米及 5 奈米製程節點上。

作為之前先進製程的領導者，英特爾之前已經提到了目前 5 奈米製程正在研發中。只是
，對於製程的發展並沒有公佈詳情。因此，根據 《Profesionalreview》 的報導，英特
爾在 5 奈米節點上將會放棄 FinFET 電晶體，轉向 GAA 環繞柵極電晶體。

報導強調，目前在 GAA 電晶體上也有多種技術發展路線。如之前三星提到自家的 GAA 電
晶體相較於第一代的 7 奈米製程來說，能夠提升晶片35% 的性能，並且降低 50% 的功耗
以及 45% 的晶片面積。而在三星這後起之秀上，GAA 電晶體就已經有這樣的效能，而英
特爾在技術實力上會比三星要來的強大情況下，未來英特爾在 GAA 電晶體的發展上，期
提升效能應該會更加明顯。

報導進一步強調，如果能在 5 奈米製程節點上進一步採用 GAA 電晶體，則日前英特爾財
務長所強調的 ｢英特爾將在 5 奈米製程節點上重新奪回領導地位｣ 的說法就比較可能
容易實現了。至於，另一個市場上的強進競爭對手台積電，目前在 2020 年首季準備量產
5 奈米製程上，依舊採用 FinFET 電晶體。但是，到了下一世代的 3 奈米節點，目前台
積電還尚未公布預計的製程方式。根據台積電官方的說法，其 3 奈米相關細節將會在
2020 年的 4 月 29 日的的北美技術論壇上公布。

另外，英特爾 5 奈米製程的問世時間目前也還沒明確的時間表。不過，英特爾之前提到
7 奈米之後製程技術發展週期將會回歸以往的 2 年升級的節奏上，因此就是表示最快
2023 年就能見到英特爾的 5 奈米製程技術問世。






2020的我:2023 I皇出5nm!

這篇情報就像時光膠囊一樣埋在電蝦，希望能成真

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