製程推進GDDR6 與 64 層 3D NAND Flash - 3C

在 Micron 2017 年度的分析師會議上，這家公司給出一些方向與目標。

沒有任何新產品公佈，但 2017 年 Micron 這家公司的產品規劃可能有了一些大致方向
同時也包含下一代 GPU 用記憶體的規劃。

2016 年，Micron 與 Intel 的合資企業成為第二家供應 3D NAND Flash 的公司
當時 32 層的第一代 3D NAND Flash 已經在不少產品上導入
現在開始進入 64 層 3D NAND Flash。然而，現階段 64 層 3D NAND Flash 仍處在
Sampling 階段，預計要到 2017 年才會進入大量生產階段。

512Gb 的 64 層 3D TLC NAND Flash 是 Micron 的重點之一，但 Micron 也會提供
256Gb 的 3D TLC NAND Flash。

有趣的是，256Gb TLC NAND Flash 的尺寸為 59mm2 ，或是 4.3 Gb/mm2 ；
相較於其他競爭品牌的 64 層 3D NAND Flash，面積要小了 25% 左右。

此外，Micron 也在 QLC NAND Flash 部分有所投入，但他們並沒有對此揭露太多資訊。

記憶體部分，主要是 GPU 用的 GDDR6 以及製程的推進。

Micron 預期會在 2017 年開始使用 16nm（1Xnm）生產 GDDR5 記憶體，但確切時間不詳
另外 1Ynm 與 1Znm 的製程也在進行中，其中 1Ynm 會率先導入，時間點在 2017 下半年
對於 Samsung Electronics 和 SK Hynix 在 HBM 記憶體的佈局，Micron 似乎沒有任何
回應
但這家公司在 GDDR5X 與 GDDR6 有著相當深的投入。

預計我們可以在 2017 年底或是 2018 年初見到 Micron 在 GDDR6 領域的訊息。

3D XPoint 部分也相當低調，沒有任何新資訊或是產品揭露。

來源：
https://goo.gl/UC58b5

坐等GDDR6 的 GTX

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