記憶體合約價Q4看跌 - 3C

記憶體合約價Q4看跌

https://www.chinatimes.com/newspapers/20211011000168-260204

工商時報 涂志豪



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第四季記憶體市場需求轉弱，主要原因包括個人電腦、伺服器、消費性電子等供應鏈的長短
料影響，以及中國進行能耗雙控，停電或限電問題未獲得解決並造成電子產品生產斷裂。在
DRAM及NAND Flash供給量維持平穩情況下，第四季DRAM及NAND Flash第四季合約價看跌，跌
勢預期會延續到明年上半年。

記憶體大廠美光科技（Micron）執行長Sanjay Mehrotra在日前法人說明會中指出，部份個
人電腦客戶因為非記憶體晶片短缺，所以調整對記憶體及儲存裝置的採購，導致本季度DRAM
及NAND Flash位元出貨量將低於上季度，預期調整會在未來幾個月大致獲得解決。但對於20
22年，基於產業資本支出審慎及供應商庫存趨緊，DRAM及NAND Flash供需可望呈現良性平衡
。

DRAM廠南亞科總經理李培瑛在法說會中指出，受到終端產品生產鏈缺料、低品質產品在現貨
市場充斥等影響，導致DRAM產業將進入短期修正，預計可能會從今年第四季到明年第一季，
市場只會經過短期小幅修正潮，並不是所謂的DRAM市場寒冬將至。至於在價格部分，原先預
估第四季是持平，但現在下修為小幅下滑，跌勢會延續到明年第一季。

市調機構集邦科技指出，第三季生產旺季後，DRAM的供過於求比例於第四季開始升高。此外
，除了供應商庫存水位仍屬相對健康外，基本上各終端產品客戶手中的DRAM庫存已超過安全
水位，削弱後續的備貨意願。集邦預測，第四季DRAM均價將開始走跌，而部分庫存量過高的
產品別單季跌幅不排除會超過5％，整體DRAM均價跌幅為3～8％。

集邦指出，第四季DRAM供貨吃緊態勢不再。然而在伺服器DRAM需求相對暢旺的情況下，標準
型DRAM占原廠供給位元比重仍偏低，故不至於造成嚴重的供過於求。由於標準型DRAM模組現
貨均價已經遠低於第三季合約價，代表後續的跌勢難以避免，預期第四季合約價將季減5～1
0％。模組業者指出，明年上半年進入採購淡季，不排除季度跌幅可能超過10％。

在NAND Flash部份，集邦指出，由於智慧型手機、Chromebook與電視等消費性產品下半年出
貨表現不如預期，採購端的庫存水位正逐漸上升，並壓抑後續的採購力道，NAND Flash控制
IC缺貨的狀況亦隨需求下降逐步緩解，因此預期第四季NAND Flash報價將開始轉跌，整體合
約價將小跌0～5％。在需求不如預期的狀況下，供應商銷售NAND晶圓（wafer）庫存的壓力
將逐步擴大，已有部分供應商釋出第四季有意願積極供貨的消息，預估3D NAND晶圓第四季
跌幅將落在10％～15％。


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