震撼南韓業界！美光記憶體製造技術領先三星與 SK 海力士 - 3C

震撼南韓業界！美光記憶體製造技術領先三星與 SK 海力士

作者 Atkinson | 發布日期 2021 年 06 月 07 日 16:40

美光執行長 Sanjay Mehrotra 於 2 日在 Computex 2021 論壇主題演講宣布，正式
量產 1α 製程 LPDDR4x DRAM，並正向 AMD 和 Acer 供應 1α 製程 DRAM，還宣布開
始量產 176 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體，震撼 DRAM 市佔率領先全球的南韓業界。

南韓媒體《KoreaBusiness》報導，美光 1α 製程 DRAM 相當於南韓三星和 SK 海
力士 14 奈米製程 DRAM。目前美光是世界第一家量產 14 奈米製程 DRAM 的公司。20
20 年 11 月美光宣布開始量產 176 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體後，代表美光不論
DRAM 還是 NAND Flash 快閃記憶體生產技術都超越南韓兩家公司。

南韓一位市場人士表示，由於核心製程技術不同，很難直接將美光技術與三星和 SK
海力士技術比較，令人驚訝的是，美光沒有極紫外線曝光設備 (EUV) 輔助下，縮小與
兩家南韓記憶體大廠的差距。

現階段三星和 SK 海力士尚未開始量產 176 層堆疊的 NAND Flash 快閃記憶體。SK
海力士雖然 2020 年 12 月宣布完成 176 層堆疊的 NAND Flash 快閃記憶體開發，還沒
有達量產階段。兩家南韓記憶體企業都表示，2021 下半年可量產 176 層堆疊NAND Flash
快閃記憶體。但市場人士認為，量產時間實際上會到 2021 年底。預計兩家南韓記憶體廠
商的量產 14 奈米製程 DRAM 的時間也會 2021 年底開始。

南韓半導體產業非常關注美光不使用 EUV 曝光設備成功開發出 14 奈米製程 DRAM，
因這是半導體製程微縮的關鍵。三星和 SK 海力士正將 EUV 技術應用於 10 奈米等級，
但技術較入門的 DRAM 生產。

相較南韓兩家廠商，目前是台灣投資金額最大的外商美光，最新技術是不使用 EUV
曝光設備，採用上一代深紫外 (DUV) 曝光設備就生產記憶體。市場人士也強調，因
ASML 的 EUV 曝光設備每部造價高達 1.5 億美元，生產的記憶體會有較高成本。但美光
採用 DUV 曝光設備就能生產記憶體產品，產品成本競爭力將更具優勢。

仍有南韓專家調，美光 1α 製程 DRAM 和 176 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體尚未
與三星和 SK 海力士產品比較是否有相同性能，美光能對兩家南韓廠商造成多大威脅，
有待觀察。

https://technews.tw/2021/06/07/micron-ahead-of-samsung-electronics-in-
1α-nm-dram-mass-production

縮網址：https://reurl.cc/qg1l3n


--