Intel發佈22nm 3D Tri-Gate電晶體技術 - 儲存設備

22nm 「Ivy Bridge」處理器年底前量產



Intel 5 日宣佈在半導體技術上取得重大突破，
將會於下代 22nm 制程中採用全新的 3D Tri-Gate 電晶體技術，
是全球首次把這項技術應用於量產上，
電晶體向 3D Tri-Gate 結構前進，
將有助 Intel 處理器進一步提升性能表現，
以及降低功耗提升電池續航力。根據 Intel 最新產品路線圖，
將會於 2011 年第四季量產首款 22nm 制程的「 Ivy Bridge 」微架構處理器，
緊接將會應用於手持式裝置 Atom 處理器與 Xeon 伺服器處理器之上。



3D Tri-Gate 電晶體技術是半導體技術上的重大突破，
早於 2002 年 Intel 已向外披露公司正著手研發 3D 電晶體的可能性，
因為傳統 2D 電晶體受到物理定律影響，
成為制程進步的其中一大障礙，
全新 3D Tri-Gate 電晶體技術能令晶片在更低的電壓下運作，
並且減少漏電情況，
令功耗進一步降低。



全新 22nm 3D Tri-Gate 在較低的電壓下，
性能仍較上代 32nm 提升達 37% ，
成為 Intel 進軍小型手持設備的最強武器，
相較上代更少的電力即可完成電晶體開關操作，
只需消耗不到一半的電量，
就能達至上代 32nm 2D 電晶體相同的性能表現。



據 Intel 表示，
在全新 22nm 3D Tri-Gate 電晶體的協助下，
Intel 可以按需求靈活選用低能耗或高性能電晶體，
32nm 制程轉進 22nm 所帶的好處是無可否定的，
但全新 3D Tri-Gate 電晶體技術所帶來的意義，
相較單純跟上摩爾定律步伐更為深遠，
低電壓和低電量的優勢遠較全新制程升級所得到的好處來得深遠，
這一突破將擴大 Intel 在半導體行業的領先優勢。



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