容量再翻倍!東芝發新款快閃儲存晶片 - 3C

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http://chinese.engadget.com/2015/08/05/toshiba-flash-chips-double-capacity/

作者: ERIC CHAN @ERICHANKC 47 分鐘前

隨著技術的成熟,我們所拍的照片、影片或是音訊都變得愈來愈大,
對於速度的要求也越來越高(用過 SSD 之後就回不去了的概念),
讓儲存媒體都帶來極大的壓力。

繼上週 Intel 和 Micron 發佈的 3D 記憶體,
東芝和 SanDisk 也在今天公布一款新的 256Gb 快閃儲存晶片,
它是以數月前公佈的 15 微米製程、48 層堆棧式的設計之上,
加入 3-bit 技術(首見為 Samsung)來把儲存容量翻倍。

估計新晶片將會為智慧型手機、SSD 和其他電子裝置帶來更快、更可靠的儲存媒介。

可是 Intel 和 Micron 合作研發的 256Gb 晶片「只是」堆棧了 32 層而已,
所以他們所開發的技術相信會輕易超越東芝和 SanDisk 的這款。

而且 Micron 曾稱他們的技術最終可達 10TB 容量之多,價錢還會更便宜呢。

無論如何,最終得益的都會是我們消費者,畢竟這都是產品來的。

回到新聞的主角吧,東芝正為新晶片在日本興建新的工廠,
預計 2016 年就會正式投產上市。

經由: Engadget
http://www.engadget.com/2015/08/04/toshiba-flash-chips-double-capacity/

引用來源: Toshiba
http://goo.gl/SvNAMX

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All Comments

Kama avatarKama2015-08-06
問題是價錢
Daph Bay avatarDaph Bay2015-08-09
以後wafer下線到fabout不就愈來愈久了
Ina avatarIna2015-08-12
都已經跟你說更便宜了
Daph Bay avatarDaph Bay2015-08-15
15 "微米"製程 ?????
Frederic avatarFrederic2015-08-16
3bit不就是TLC?
Mia avatarMia2015-08-17
15微米製程→15000nm製程ww
Adele avatarAdele2015-08-19
3bit就是那鬼見愁的TLC
Heather avatarHeather2015-08-24
15微米製程...說不定可以解決TLC相對不耐用的問題(X
Kyle avatarKyle2015-08-27
樓上說的好像有點道理耶
David avatarDavid2015-08-28
15um是正確的 由於要挖洞疊48層 洞太小根本做不出來
George avatarGeorge2015-09-01
正是退回到15um 所以耐用度 速度 耗電量都比2D好
Iris avatarIris2015-09-04
確認是報導寫錯了 他引述的原文是15nm
Caroline avatarCaroline2015-09-05
樓上提到的應該是interposer的灌孔 目前這種3D堆疊
Isla avatarIsla2015-09-09
的貫孔的確都還在um等級 但是電路不可能回到15um
現在有沒有fab在做都還是個問題