採用ReRAM技術的SSD要來了超快讀寫速密度 - 3C

現在的SSD雖然可以通過堆疊Die層數來增大單顆粒容量
但隨著層數越多，所需要的矽穿孔數目越多，製造難度直線上升
不僅良品率無法保證、生產成本也高，一些擁有深厚技術的儲存廠商
早就開始探索新一代非易失性儲存器了。除了Intel那個未知原理的3D XPoint以外
還有大熱的ReRAM，這是一種以電阻值來記錄數據的非易失性儲存器
具有單位面積容量大、讀寫速度快特性
而對此研究了好些年的Mobiveil聯合Crossbar將會推出基於ReRAM技術的SSD
為存儲市場增添新活力。

ReRAM其實就是一種憶阻器模型，是一種能夠描述電荷和磁通之間關係的全新元件
也是一種具有記憶功能的非線性電阻，不僅可以記憶流經自身的電荷數量
也可以通過控制激勵源的電流或者磁通來改變自身的阻值大小，並且這種阻值變化可以在
斷電下繼續保存相當長的一段時間。

單一憶阻器其實就是一個長條形的器件，擁有三層結構
包含有上下電極和中間的開關層，通過電極施加不同的電壓值就能改變中間的特殊結構的
電阻值
從而達到存儲數據功能（電阻值代表0/1或者是更多位數據）。其穩定性非常好
具備了普通快閃記憶體顆粒不具備的超寬溫度耐受值，-40-125℃。一百萬次讀寫週期後
，在85℃下數據可以保持10年不消失
而且這種長條形結構可以很容易地組建成大規模陣列，簡單的結構使得儲存容量、密度遠
超現有的快閃記憶體技術，輕鬆實現TB儲存顆粒。

這玩意結構是不是超像intel的3D XPoint？另外由於其結構簡單，它的控制器開發也變得
異常簡單
現有的Mobiveil's NVMe、PCIe、DDR3 /4控制器可以很好地對應ReRAM架構。

不過Mobiveil、Crossbar表示ReRAM SSD並不是要革現有SSD的名
因為它至少短期內不是消費級，而是針對商業應用方案
因為目前來看ReRAM SSD雖然性能指標一流，但製作成本非常高
甚至比NV-DIMMM更為昂貴，就像是Intel的傲騰都是在虧本在賣
所以Mobiveil與Crossbar將ReRAM的銷售方向、潛在客戶都與Intel 3D XPoint硬碟Optane
相同
並在積極開發能夠平衡價格與性能的產品，帶動公司的繼續發展。

來源
http://www.expreview.com/57239.html

XF編譯
http://www.xfastest.com/thread-200836-1-1.html

更快就是拿$來換 就對了

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http://i.imgur.com/JS7qgbp.png
RX VEGA 哪裡有16G VRAM 啪啪啪

https://www.ptt.cc/bbs/PC_Shopping/M.1501122468.A.2E6.html
說好的RXvega有16g的vram完全碾壓1080ti的11g


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