東芝96層QLC閃存明年量產：1500次P/E、M. - 3C

東芝96層QLC閃存明年量產：1500次P/E、M.2可到20TB
http://news.mydrivers.com/1/589/589966.htm

在此次閃存峰會上，東芝Keynote的重點是BiCS4 Flash，也就是QLC閃存。

BiCS4即第四代BiCS 3D閃存，從BiCS3的64層堆疊提升到96層。

時間節點和技術指標方面，BiCS4 QLC閃存將從明年開始量產，單芯片的容量可達1.33Tb
，基於U.2形態的模組可以做到85TB，基於M.2 22110可以做到20TB，相當恐怖。

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大家關心的耐用性方面，東芝也將BiCS4 QLC產品的P/E（可編程/擦寫循環）從理論的
1000次提升到1500次，為傳統TLC的一半，相信只要價格給力，肯定會討好消費者。

當然，在“硬貨”方面，東芝祭出了XL-Flash，通過對存儲單元結構進行調整，即更短的
bitline（位線，垂直方向）和wordline（字線，水平方向），使得讀取延遲降低到當下
TLC的1/10。XL-Flash早期均採用SLC，後期將擴展到MLC。從這個角度看的話，XL-Flash
和三星的Z系列SSD比較像，都是和Intel傲騰競爭的高端品。

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這個XL-Flash跟三星的Z-NAND好像

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